### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSO080P03NS3 G-VB 是一款高性能單通道 P 溝道 MOSFET，封裝為 SOP8，專為低電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其具備 -30V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 -3V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下，導(dǎo)通電阻為 8mΩ，在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為 5mΩ。最大漏極電流為 -18A，采用 Trench 技術(shù)制造，確保了優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。

### 參數(shù)說明
- **型號(hào)**: BSO080P03NS3 G-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單通道 P 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 8mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -18A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSO080P03NS3 G-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊：
- **電源管理**: 在高電流電源模塊中作為開關(guān)元件，優(yōu)化電源的開關(guān)控制和負(fù)載切換。
- **電池管理**: 在電池保護(hù)和電源切換應(yīng)用中，提供可靠的開關(guān)控制，確保電池安全。
- **消費(fèi)電子**: 在智能手機(jī)、平板電腦和便攜式設(shè)備中用于電源開關(guān)，支持高效的電流管理。
- **汽車電子**: 適用于汽車電源管理系統(tǒng)中，處理高電流負(fù)載的開關(guān)操作，提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。