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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSO305N-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSO305N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BSO305N-VB** 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 SOP8。該 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),專為中等電流和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源極電壓(VDS)為 30V,門源極電壓(VGS)最大為 ±20V,適用于多種驅(qū)動(dòng)條件。BSO305N-VB 提供了兩個(gè) N 溝道 MOSFET 的配置,使其在設(shè)計(jì)中更加靈活。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 26mΩ,在 VGS 為 10V 時(shí)為 22mΩ,具有較低的功耗。每個(gè)通道的漏極電流(ID)分別為 6.8A 和 6.0A,能夠滿足中等電流負(fù)載的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSO305N-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 30V
- **門源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 26mΩ @ VGS = 4.5V
 - 22mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:
 - 6.8A (第一個(gè)通道)
 - 6.0A (第二個(gè)通道)
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**:
  BSO305N-VB 在電源管理模塊中表現(xiàn)出色,尤其適用于需要雙通道開關(guān)的應(yīng)用,例如雙路 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源分配系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功率損耗,提高電源效率和穩(wěn)定性。

2. **負(fù)載開關(guān)**:
  在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,BSO305N-VB 的雙通道設(shè)計(jì)使其能夠同時(shí)控制兩個(gè)負(fù)載,提供靈活的開關(guān)控制。特別適合用于電池供電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān),如電池保護(hù)電路和電源切換模塊。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  對于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,BSO305N-VB 可以用于控制電機(jī)的雙向開關(guān)操作。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

4. **汽車電子**:
  在汽車電子系統(tǒng)中,BSO305N-VB 可用于各種開關(guān)應(yīng)用,如電源管理系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)控制。其雙通道設(shè)計(jì)可以簡化電路布局,提供高效的電流控制解決方案。

這款雙通道 MOSFET 的設(shè)計(jì)使其在需要雙通道開關(guān)和中等電流控制的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在電源管理和負(fù)載開關(guān)領(lǐng)域。

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