### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSS123-7-VB是一款高電壓?jiǎn)喂躈溝道MOSFET，封裝形式為SOT23-3。該MOSFET具有100V的漏極-源極耐壓和±20V的柵極-源極耐壓，門檻電壓為1.5V。采用Trench技術(shù)制造，雖然導(dǎo)通電阻較高，但仍適用于一些需要高電壓耐受的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSS123-7-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 3000mΩ
 - 10V柵極驅(qū)動(dòng)下: 2800mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 0.26A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSS123-7-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊：

1. **高電壓開(kāi)關(guān)**: 由于其高達(dá)100V的耐壓能力，適用于需要高電壓耐受的開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如電源開(kāi)關(guān)和高壓控制。
2. **信號(hào)開(kāi)關(guān)**: 在信號(hào)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，盡管導(dǎo)通電阻較高，但其高耐壓特性使其適合處理較高電壓的信號(hào)。
3. **保護(hù)電路**: 用于保護(hù)電路中，作為高電壓下的開(kāi)關(guān)元件，提供電流切換和電壓保護(hù)。
4. **小功率開(kāi)關(guān)**: 在小功率設(shè)備中作為開(kāi)關(guān)元件，尤其是在需要高電壓的場(chǎng)合，如電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)控制。

該MOSFET的高電壓耐受能力使其在處理高電壓開(kāi)關(guān)和保護(hù)應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。