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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSS138-7-F-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSS138-7-F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
BSS138-7-F-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封裝為 SOT23-3,適用于中等電壓的小型開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該 MOSFET 的 VDS(漏極-源極最大電壓)為 60V,最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V,漏極電流 ID 達(dá)到 0.3A。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 3100mΩ(在 VGS=4.5V 時(shí))和 2800mΩ(在 VGS=10V 時(shí)),采用溝槽型工藝技術(shù),適合用于低功耗、小型開(kāi)關(guān)電路。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **封裝**: SOT23-3
- **類(lèi)型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: 60V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V;2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: 溝槽型工藝

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **小型電源開(kāi)關(guān)**:在低功耗和小型電源管理應(yīng)用中,BSS138-7-F-VB 能夠用于高效的電源開(kāi)關(guān),適合于空間受限的設(shè)計(jì),如便攜式電子設(shè)備和小型電源模塊。
2. **信號(hào)開(kāi)關(guān)**:在低電流信號(hào)開(kāi)關(guān)和控制電路中,該 MOSFET 可作為信號(hào)開(kāi)關(guān),適用于小型電子電路中的開(kāi)關(guān)控制。
3. **過(guò)壓保護(hù)**:在需要中等電壓保護(hù)的應(yīng)用中,BSS138-7-F-VB 可以用作過(guò)壓保護(hù)裝置,確保電子設(shè)備在過(guò)壓條件下的安全性。

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