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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSS138DW-VB一款Dual-N+N溝道SC70-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSS138DW-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SC70-6
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSS138DW-VB 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET,封裝為 SC70-6,設(shè)計(jì)用于低電流開(kāi)關(guān)和信號(hào)處理應(yīng)用。其具備 60V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,導(dǎo)通電阻為 3200mΩ,在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為 2500mΩ。最大漏極電流為 0.3A,采用 Trench 技術(shù),適用于低功耗和小型電子設(shè)備。

### 參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: BSS138DW-VB
- **封裝**: SC70-6
- **配置**: 雙通道 N 溝道 MOSFET(N+N)
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3200mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSS138DW-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **低電流開(kāi)關(guān)**: 在低電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用中控制信號(hào)或小功率負(fù)載,適合移動(dòng)設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品。
- **信號(hào)處理**: 用于信號(hào)開(kāi)關(guān)和小功率負(fù)載控制,確保高效和穩(wěn)定的信號(hào)處理。
- **開(kāi)關(guān)電源**: 在開(kāi)關(guān)電源電路中作為開(kāi)關(guān)元件,處理小功率和低電流的應(yīng)用。
- **消費(fèi)電子**: 適用于低功耗消費(fèi)電子產(chǎn)品中的開(kāi)關(guān)控制,如智能手表、傳感器和小型家電。

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