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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ050N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSZ050N03MS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSZ050N03MS G-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET,封裝為DFN8(3X3)。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS),支持最大±20V的柵極源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻為19mΩ(VGS=4.5V)和13mΩ(VGS=10V),最大漏電流為30A。MOSFET采用溝槽技術(shù),設(shè)計(jì)用于高電流和中等電壓的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSZ050N03MS G-VB
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 19mΩ @ VGS = 4.5V
 - 13mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 30A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊

**BSZ050N03MS G-VB** 功率MOSFET 主要適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:在電源轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為開(kāi)關(guān)元件,能夠處理高電流負(fù)載,適合高效電源管理和轉(zhuǎn)換。

2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:用于高電流負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如電源模塊和工業(yè)設(shè)備,提供高效電流控制,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中使用,適合高電流電動(dòng)機(jī)控制,如電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛,提供穩(wěn)定的電流輸出。

4. **功率調(diào)節(jié)**:在功率調(diào)節(jié)模塊中,用于電流調(diào)節(jié)和控制,適合高電流電源模塊和調(diào)節(jié)器,提高系統(tǒng)性能和效率。

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