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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ088N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSZ088N03MS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):BSZ088N03MS G-VB**
- **封裝類型**:DFN8 (3x3)
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道MOSFET
- **技術(shù)**:溝槽式

BSZ088N03MS G-VB 是一款高效能的N溝道MOSFET,采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)。這款MOSFET具備低導(dǎo)通電阻、較高的電流處理能力及穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,適用于多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。其緊湊的DFN8 (3x3)封裝使其特別適合于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)合。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:DFN8 (3x3)
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓時(shí):5mΩ
 - 10V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓時(shí):3.9mΩ
- **漏極電流 (ID)**:60A
- **技術(shù)**:溝槽式

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

**1. 電源管理**
  - **領(lǐng)域**:消費(fèi)電子、電信設(shè)備、計(jì)算機(jī)和服務(wù)器
  - **模塊**:DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、同步整流器
  - **說明**:BSZ088N03MS G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,以提高能效并減少功率損耗。在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,這款MOSFET能夠提供高效的開關(guān)性能,適用于需要頻繁切換的大電流應(yīng)用。在同步整流器中,它的低導(dǎo)通電阻可以顯著減少整流損耗。

**2. 汽車電子**
  - **領(lǐng)域**:電動(dòng)汽車、車載信息娛樂系統(tǒng)、汽車照明
  - **模塊**:電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電子控制單元 (ECU)、LED驅(qū)動(dòng)器
  - **說明**:在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,BSZ088N03MS G-VB 能夠處理高電流,提供穩(wěn)定的性能,確保電機(jī)高效運(yùn)行。在汽車的電子控制單元 (ECU) 中,這款MOSFET 能夠處理復(fù)雜的電源管理任務(wù),提供可靠的操作。在LED驅(qū)動(dòng)器中,它的高效能和低熱損耗有助于延長(zhǎng)LED的使用壽命。

**3. 工業(yè)應(yīng)用**
  - **領(lǐng)域**:工業(yè)自動(dòng)化、智能電網(wǎng)、機(jī)器人
  - **模塊**:電源模塊、控制系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)電路
  - **說明**:在工業(yè)自動(dòng)化和智能電網(wǎng)應(yīng)用中,BSZ088N03MS G-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠確保系統(tǒng)高效運(yùn)行和低能耗。在機(jī)器人應(yīng)用中,它能夠提供穩(wěn)定和高效的電力驅(qū)動(dòng),使機(jī)器人各部件協(xié)同工作更加順暢。

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