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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ110N06NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSZ110N06NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、BSZ110N06NS3 G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSZ110N06NS3 G-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(3X3)封裝。這款產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于多種功率管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其先進(jìn)的Trench技術(shù)使其在性能和效率上都表現(xiàn)出色,能夠在高負(fù)載條件下提供穩(wěn)定的工作性能。

### 二、BSZ110N06NS3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
| 封裝 | DFN8(3X3) |
| 配置 | 單N溝道 |
| VDS(漏源極電壓) | 60V |
| VGS(柵源極電壓) | 20(±V) |
| Vth(閾值電壓) | 2.5V |
| RDS(ON) @ VGS=4.5V | 13mΩ |
| RDS(ON) @ VGS=10V | 10mΩ |
| ID(漏極電流) | 15A |
| 技術(shù) | Trench |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:
  BSZ110N06NS3 G-VB 在電源管理中表現(xiàn)出色,特別適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源分配單元。這些應(yīng)用需要高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻以確保功率損耗最小化,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力系統(tǒng)**:
  在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力車輛的電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于驅(qū)動(dòng)和控制高電流負(fù)載,確保穩(wěn)定的電池充放電管理和電動(dòng)機(jī)控制。

3. **工業(yè)自動(dòng)化**:
  工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊需要可靠且高效的MOSFET來(lái)處理高電流和高電壓。BSZ110N06NS3 G-VB 能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和精確的控制。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  在消費(fèi)電子產(chǎn)品如筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)的充電和電池保護(hù)電路中,這款MOSFET可以提供低功耗和高效率的電源管理解決方案,延長(zhǎng)設(shè)備的電池壽命。

5. **通信設(shè)備**:
  通信設(shè)備中的射頻功率放大器和開(kāi)關(guān)電源需要高效能和低導(dǎo)通電阻的MOSFET,以確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸和設(shè)備的可靠運(yùn)行。BSZ110N06NS3 G-VB 正是這種應(yīng)用的理想選擇。

通過(guò)其多樣的應(yīng)用領(lǐng)域和出色的性能參數(shù),BSZ110N06NS3 G-VB 能夠在各種電力和電子設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用,提升整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

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