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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ130N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSZ130N03MS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BSZ130N03MS G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
BSZ130N03MS G-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用DFN8 (3x3) 封裝。其最大漏極電壓(VDS)為30V,柵極電壓(VGS)最大為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V。此MOSFET具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在柵極電壓為4.5V時(shí)為19mΩ,在柵極電壓為10V時(shí)為13mΩ。其最大連續(xù)漏極電流(ID)為30A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)(Trench)制造,確保高效能和可靠性。

### BSZ130N03MS G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)            | 值                          |
|----------------|----------------------------|
| **封裝類型**   | DFN8 (3x3)                 |
| **配置**       | 單N溝道                    |
| **最大漏極電壓(VDS)** | 30V                        |
| **最大柵極電壓(VGS)** | ±20V                       |
| **閾值電壓(Vth)**      | 1.7V                       |
| **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))** | 19mΩ @ VGS=4.5V;13mΩ @ VGS=10V |
| **最大連續(xù)漏極電流(ID)** | 30A                        |
| **技術(shù)**       | 溝槽(Trench)              |

### BSZ130N03MS G-VB 適用領(lǐng)域和模塊

**電源轉(zhuǎn)換器:** BSZ130N03MS G-VB 適用于電源轉(zhuǎn)換器模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源。其較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力使其在這些應(yīng)用中能夠高效地進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換,同時(shí)保持良好的熱性能和穩(wěn)定性。

**電池管理系統(tǒng):** 在電池管理系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于過(guò)流保護(hù)和負(fù)載開(kāi)關(guān)。其低閾值電壓和低導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)的能效,并延長(zhǎng)電池的使用壽命。

**汽車電子:** BSZ130N03MS G-VB 在汽車電子應(yīng)用中也表現(xiàn)出色,例如在車身控制模塊和動(dòng)力系統(tǒng)中。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻滿足了汽車電子對(duì)高可靠性和穩(wěn)定性的要求。

**電機(jī)控制:** 在電機(jī)控制系統(tǒng)中,BSZ130N03MS G-VB 能夠有效地驅(qū)動(dòng)各種電機(jī),包括步進(jìn)電機(jī)和直流電機(jī)。其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和高電流能力使其在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中能夠提供精確的控制和高效的功率傳輸。

**LED驅(qū)動(dòng):** 該MOSFET也適用于LED驅(qū)動(dòng)模塊。在高功率LED應(yīng)用中,它的低導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的熱性能可以確保LED燈具的穩(wěn)定工作,并提高整體照明系統(tǒng)的能效。

綜上所述,BSZ130N03MS G-VB 是一款性能優(yōu)異、應(yīng)用廣泛的MOSFET,適用于電源管理、電池保護(hù)、汽車電子、電機(jī)控制和LED驅(qū)動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域,能夠滿足各種高性能需求。

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