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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ180P03NS3E G-VB一款Single-P溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSZ180P03NS3E G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、BSZ180P03NS3E G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSZ180P03NS3E G-VB 是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用DFN8(3X3)封裝。該產(chǎn)品利用Trench技術(shù),提供了極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適合需要高效率和高可靠性的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。BSZ180P03NS3E G-VB 具有優(yōu)良的熱性能和穩(wěn)定性,能夠在復(fù)雜的電力系統(tǒng)中穩(wěn)定工作。

### 二、BSZ180P03NS3E G-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---|---|
| 封裝 | DFN8(3X3) |
| 配置 | 單P溝道 |
| VDS(漏源極電壓) | -30V |
| VGS(柵源極電壓) | 20(±V) |
| Vth(閾值電壓) | -2.5V |
| RDS(ON) @ VGS=4.5V | 18mΩ |
| RDS(ON) @ VGS=10V | 11mΩ |
| ID(漏極電流) | -45A |
| 技術(shù) | Trench |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理系統(tǒng)**:
  在電源管理系統(tǒng)中,BSZ180P03NS3E G-VB 適用于高效的負(fù)載開關(guān)和電源分配。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率分配單元以及其他電源管理應(yīng)用的理想選擇,有助于降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **電池保護(hù)電路**:
  該MOSFET 可在電池管理和保護(hù)電路中使用,尤其適用于鋰離子電池的充放電保護(hù)。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,它能有效防止過(guò)流和短路,從而保護(hù)電池和延長(zhǎng)其壽命。

3. **汽車電子系統(tǒng)**:
  在汽車電子系統(tǒng)中,如電池控制模塊和電動(dòng)窗口控制器,BSZ180P03NS3E G-VB 的高電流處理能力和穩(wěn)定性非常關(guān)鍵。它能在嚴(yán)苛的環(huán)境條件下保持可靠的性能,確保汽車電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,特別是那些需要高效率電源管理的設(shè)備,如智能手機(jī)和筆記本電腦,該MOSFET 可以用于電池供電電路和電源開關(guān),以提高功率轉(zhuǎn)換效率和減少功率損耗。

5. **工業(yè)應(yīng)用**:
  BSZ180P03NS3E G-VB 還適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的開關(guān)電源和電機(jī)控制。其高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠應(yīng)對(duì)工業(yè)環(huán)境中的高功率需求,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能。

BSZ180P03NS3E G-VB 憑借其優(yōu)越的技術(shù)規(guī)格和可靠的性能,在各種電力和電子應(yīng)用中扮演著關(guān)鍵角色,幫助提升整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

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