### 一、BUK583-60A-VB 產(chǎn)品簡介

BUK583-60A-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能單 N 溝道 MOSFET，封裝形式為 SOT223。這款 MOSFET 采用先進的 Trench 技術(shù)，具有 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規(guī)格。其在 4.5V 的柵源電壓下，導(dǎo)通電阻為 33mΩ，在 10V 的柵源電壓下，導(dǎo)通電阻進一步降低至 28mΩ。BUK583-60A-VB 支持最大 7A 的連續(xù)漏極電流 (ID)，適用于高效開關(guān)和電源管理的各種應(yīng)用場景，特別適合對封裝尺寸和性能有較高要求的設(shè)計。

### 二、BUK583-60A-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                   | 值                       | 單位   |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產(chǎn)品型號               | BUK583-60A-VB            |        |
| 封裝                   | SOT223                   |        |
| 配置                   | 單 N 溝道                |        |
| 漏源電壓 (VDS)         | 60                       | V      |
| 柵源電壓 (VGS)         | ±20                      | V      |
| 閾值電壓 (Vth)         | 1.7                      | V      |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))     | 33 (VGS = 4.5V)          | mΩ     |
|                        | 28 (VGS = 10V)           | mΩ     |
| 柵極電流 (IG)          | 100                      | nA     |
| 連續(xù)漏極電流 (ID)      | 7                        | A      |
| 瞬時脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 21               | A      |
| 最大功耗 (Ptot)        | 25                       | W      |
| 工作溫度范圍           | -55 至 +175             | °C     |
| 存儲溫度范圍           | -55 至 +175             | °C     |
| 技術(shù)                   | Trench                   |        |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

BUK583-60A-VB 的高性能和緊湊封裝使其在多個領(lǐng)域表現(xiàn)出色，以下是幾個應(yīng)用示例：

1. **電源管理**：在開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，BUK583-60A-VB 能夠作為高效開關(guān)元件，提供低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **小型電機控制**：由于其較小的封裝和良好的性能，這款 MOSFET 特別適合用于微型電動機驅(qū)動電路，如玩具、家用電器和小型機器人中的電機控制。

3. **電池保護**：在便攜設(shè)備和移動電子產(chǎn)品的電池保護電路中，BUK583-60A-VB 能夠有效保護電池免受過流影響，確保設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性。

4. **LED 驅(qū)動**：在 LED 驅(qū)動器和調(diào)光器中，這款 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和小封裝尺寸使其能夠提供高效且可靠的開關(guān)功能，提升整體照明系統(tǒng)的性能。

這些應(yīng)用示例展示了 BUK583-60A-VB 在緊湊設(shè)計和高效開關(guān)應(yīng)用中的重要作用。