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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK652R3-40C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BUK652R3-40C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BUK652R3-40C-VB** 是一款采用 Trench 技術(shù)的單極 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。它具備高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,專(zhuān)為高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款 MOSFET 在高頻率和高電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,是高效電源管理和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO220
- **配置**:?jiǎn)螛O N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:40V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(on))**:
 - 15mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**:180A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)

### 適用領(lǐng)域與模塊舉例

**BUK652R3-40C-VB** 的高性能特性使其適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **高效電源管理**:由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流能力,該 MOSFET 非常適合用于高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊,能夠顯著提高電源的轉(zhuǎn)換效率和減少功率損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,如電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,BUK652R3-40C-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其能有效控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和調(diào)速,提升整體驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能和可靠性。

3. **逆變器系統(tǒng)**:在太陽(yáng)能逆變器或其他高功率逆變器系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠在高功率開(kāi)關(guān)操作中提供優(yōu)良的性能,保證系統(tǒng)的高效運(yùn)行和穩(wěn)定性。

4. **高功率開(kāi)關(guān)**:適用于各種高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如工業(yè)電源系統(tǒng)和電力控制模塊。其高電流和低導(dǎo)通電阻特性可以有效控制和管理大電流流動(dòng),提升系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性和效率。

綜上所述,BUK652R3-40C-VB 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,能夠滿足各種高功率開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用的需求。

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