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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZXTP2012G PNP 中功率 低飽和 晶體管

型號(hào)： ZXTP2012G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZXTP2012G
  • 名稱(chēng) PNP中功率低飽和晶體管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SMD/DIP

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTP2012G

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 ZXTP2012G（PNP、60V、5.5A、SOT223）這種采用 SOT223 封裝的新型低飽和 60V PNP 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗，使其非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅(qū)動(dòng)和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌       DIODES
型號(hào)     ZXTP2012G
名稱(chēng)      PNP中功率低飽和晶體管
產(chǎn)地       臺(tái)灣
封裝       SMD/DIP

 

主要特征
bvco>-60V
IC=5.5A連續(xù)集電極電流
ICM=-15A峰值脈沖電流
低飽和電壓VCE（SAT）<-70mV Max@-1A
RSAT=39米? @ -5A表示低等效導(dǎo)通電阻
hFE規(guī)定高達(dá)-10A用于高增益保持
無(wú)鉛飾面；符合RoHS（注1和2）
不含鹵素和銻?！熬G色”裝置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

 

相關(guān)型號(hào)
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