IPD640N06LG (VBE1638)參數(shù)說(shuō)明：N溝道，60V，45A，導(dǎo)通電阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門(mén)源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.8V，封裝：TO252。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：IPD640N06LG適用于高功率N溝道MOSFET，常見(jiàn)于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其高電流承載能力使其在大電流需求場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于高功率應(yīng)用，如電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等模塊。
高電流承載能力滿(mǎn)足大電流需求。
