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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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SGC7172-30A C波段 內部匹配 GaN HEMT

型號： SGC7172-30A

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 SGC7172-30A
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGC7172-30A

型號簡介
Sumitomo的SGC7172-30A是一種高功率GaN HEMT匹配C波段應用，提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    SGC7172-30A
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IK


型號參數(shù)
高輸出功率：Psat=45.15dBm（典型值）
高增益：Gp=12.15dB（典型值）
高效：PAE=45%（典型值）
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝


相關型號
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