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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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UT6898G-S08-R-VB一款2個(gè)N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): UT6898G-S08-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào): UT6898G-S08-R-VB
絲?。?VBA3211
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 2個(gè)N溝道 
- 20V 
- 10A 
- RDS(ON): 11mΩ @10V, 12mΩ @4.5V, 30mΩ @2.5V
- 12Vgs(±V) 
- 0.8~2.5Vth(V)
- SOP8 封裝

詳細(xì)參數(shù)說明:
1. 2個(gè)N溝道:該型號(hào)芯片內(nèi)含有2個(gè)N溝道MOS管,可用于功率開關(guān)和電壓放大應(yīng)用。
2. 20V:芯片可承受的最大工作電壓為20V。
3. 10A:芯片最大允許電流為10A,適用于高功率應(yīng)用。
4. RDS(ON): 在給定電壓和電流條件下,芯片的導(dǎo)通電阻為11mΩ @10V, 12mΩ @4.5V, 30mΩ @2.5V。導(dǎo)通電阻越低,芯片損耗越小,效率越高。
5. 12Vgs(±V):芯片的最大柵源電壓為12V,可支持高壓應(yīng)用。
6. 0.8~2.5Vth(V):芯片的閾值電壓范圍為0.8V至2.5V,閾值電壓越低,芯片工作速度越快。

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
該型號(hào)的VBsemi MOS管適用于各種領(lǐng)域的模塊應(yīng)用,特別是在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。一些常見的應(yīng)用包括但不限于:
1. 電源模塊:可用于電源開關(guān)、穩(wěn)壓模塊等,可以提供高效率和穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換。
2. 驅(qū)動(dòng)模塊:適用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)、大功率負(fù)載等,可以提供高效率和高驅(qū)動(dòng)力。
3. 照明模塊:可用于LED照明驅(qū)動(dòng)電路,提供高效率的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出。
4. 電動(dòng)車輛模塊:適用于電動(dòng)車輛中的驅(qū)動(dòng)電路、充電樁、電動(dòng)汽車充電模塊等,可以提供高效率和穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換。

總之,UT6898G-S08-R-VB型號(hào)的VBsemi MOS管適用于各種領(lǐng)域的模塊應(yīng)用,特別是高功率應(yīng)用,可以提供高效率、高性能和穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換。
 

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