--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:PHD78NQ03LT-VB
絲?。篤BE1307
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:N溝道
- 最大耐壓:30V
- 最大持續(xù)電流:60A
- 開通電阻(RDS(ON)):10mΩ @ 10Vgs、11mΩ @ 4.5Vgs
- 閾值電壓(Vth):1.6V
- 封裝類型:TO252

應用簡介:
PHD78NQ03LT-VB是一款高性能的N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),具有高電流承受能力和低開通電阻,適用于多種高功率電子應用。以下是它的一些主要應用領域:
1. 電源模塊:這款MOSFET的低開通電阻和高電流承受能力使其非常適合用于電源模塊,如開關穩(wěn)壓器和直流-直流變換器,以提供高效率和穩(wěn)定的電源輸出。
2. 電機驅動:PHD78NQ03LT-VB可以用于電機驅動電路,如電機控制、電動汽車電機驅動和工業(yè)自動化中的電機控制,以實現(xiàn)高效的電機運行。
3. 電池保護模塊:由于其高電流承受能力,它也可以用于電池保護模塊,確保電池在充電和放電時的安全性和性能。
4. 電源開關:這款MOSFET可以用于電源開關,用于控制電路的通斷狀態(tài),例如高功率電子設備中的電源開關。
總之,PHD78NQ03LT-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,適用于各種高功率電子應用,特別是需要高電流承受能力和低電阻的領域。它在電源模塊、電機驅動、電池保護模塊和電源開關等模塊中都有廣泛的用途。
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