型號(hào)：STP3NK60ZFP-VB
絲?。篤BMB165R04
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 類型：N溝道
- 額定電壓（Vds）：650V
- 最大持續(xù)電流（Id）：4A
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：2560mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍（Vgs）：20V（正負(fù)）
- 閾值電壓（Vth）：3.8V
- 封裝：TO220F

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
STP3NK60ZFP-VB是一款高壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要高電壓和低電阻的開關(guān)應(yīng)用，如電源開關(guān)、電流控制和逆變器。

詳細(xì)參數(shù)說明：
1. **類型**：這是一款N溝道MOSFET，意味著它在輸入正電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于開關(guān)和調(diào)節(jié)電路中。

2. **額定電壓（Vds）**：它可以承受的最大漏極-源極電壓為650V。這表示它可以在高電壓條件下工作。

3. **最大持續(xù)電流（Id）**：這款MOSFET的最大電流承受能力為4A。這使它能夠處理適度電流負(fù)載。

4. **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為2560mΩ，這表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻相對(duì)較高，可能會(huì)有一定的功耗。

5. **門源電壓范圍（Vgs）**：MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。

6. **閾值電壓（Vth）**：這款MOSFET的閾值電壓為3.8V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓。

7. **封裝**：這款MOSFET采用TO220F封裝，這是一種常見的功率封裝類型，適用于高功率電子應(yīng)用。

應(yīng)用領(lǐng)域：
STP3NK60ZFP-VB這款MOSFET適用于多種需要高電壓和低電阻的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊：

1. **電源開關(guān)**：可用于高電壓開關(guān)電源，如電壓轉(zhuǎn)換和電源穩(wěn)定。

2. **電機(jī)控制**：在電機(jī)控制器中用于控制電機(jī)的速度和方向，特別是用于工業(yè)電機(jī)。

3. **電力逆變器**：用于逆變器電路，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，如太陽能逆變器和電力逆變器。

4. **高壓電源管理**：用于高電壓電源管理和電流控制電路，如工業(yè)控制系統(tǒng)。

5. **電動(dòng)工具**：在需要高壓和低電阻的電動(dòng)工具中，如電動(dòng)鉆機(jī)和電鋸。

總之，這款高壓N溝道MOSFET適用于需要高電壓和低電阻的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在高壓和高功率應(yīng)用中。