型號(hào)：Si2343CDS-T1-GE3-VB
絲印：VB2355
品牌：VBsemi
參數(shù)說(shuō)明：
- 極性：P溝道
- 額定電壓：-30V
- 最大連續(xù)漏極電流：-5.6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
- 門極-源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 開(kāi)啟電壓（門極閾值電壓）：-1V
- 封裝：SOT23

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
Si2343CDS-T1-GE3-VB是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有適中的電流承受能力和適用于低電壓應(yīng)用的低漏極-源極電阻。這使其在多種電子應(yīng)用領(lǐng)域中非常有用。

應(yīng)用領(lǐng)域：
1. **電源模塊**：Si2343CDS-T1-GE3-VB適用于低電壓電源管理模塊，如電池充放電管理、低電壓DC-DC變換器和電源開(kāi)關(guān)。

2. **信號(hào)開(kāi)關(guān)**：這種MOSFET器件可用于低電壓信號(hào)開(kāi)關(guān)應(yīng)用，例如低電壓信號(hào)切換和電路保護(hù)。

3. **便攜式設(shè)備**：Si2343CDS-T1-GE3-VB可用于便攜式設(shè)備的電源管理、信號(hào)開(kāi)關(guān)和電池管理，如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式電子設(shè)備。

4. **低電壓電源**：在低電壓應(yīng)用中，這種MOSFET適用于低電壓電源管理、DC-DC變換器和低電壓電路。

總之，Si2343CDS-T1-GE3-VB是一款多功能的電子器件，適用于需要低電壓、適中電流承受能力、低電阻和可靠性的各種電子應(yīng)用領(lǐng)域。它可以用于電源管理、信號(hào)開(kāi)關(guān)、便攜式設(shè)備、低電壓電源等模塊。