型號：CEU12N10-VB
絲印：VBE1101M
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：100V
- 最大連續(xù)電流：18A
- 靜態(tài)開啟電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：1.6V
- 封裝類型：TO252

應用簡介：
CEU12N10-VB 是一款N溝道功率MOSFET，適用于需要高性能功率開關(guān)的電子應用。以下是一些可能的應用領(lǐng)域模塊：

1. **電源開關(guān)模塊**：該MOSFET可用于電源開關(guān)模塊，以實現(xiàn)高效電源的開關(guān)和調(diào)節(jié)。它適用于工業(yè)電源系統(tǒng)和高電流電源應用。

2. **電機控制模塊**：CEU12N10-VB 可用于電機控制模塊，包括直流電機、步進電機和無刷直流電機驅(qū)動。其低導通電阻有助于提高電機效率和性能。

3. **電池保護模塊**：在高電壓電池供電系統(tǒng)中，此MOSFET可用于電池保護電路，以防止過放電和過充電。其高電流和電壓特性使其適用于高電壓電池系統(tǒng)。

4. **DC-DC變換器**：在高功率DC-DC變換器中，CEU12N10-VB 可用作開關(guān)器件，以幫助實現(xiàn)高電流和高效的電能轉(zhuǎn)換。

5. **電源放大模塊**：該MOSFET可以用于音頻放大器和電源放大器等高電流高電壓模塊，以提供高性能的電力放大。

這些是一些可能用到 CEU12N10-VB N溝道高電壓高電流MOSFET 的應用領(lǐng)域模塊的示例。該器件的參數(shù)使其適用于需要處理高電壓和高電流的應用，特別是在需要低導通電阻的場合。在實際應用中，請務必遵守數(shù)據(jù)手冊中的電氣規(guī)格和工作條件，以確保最佳性能和可靠性。