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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP052NE7N3-G-VB一款N溝道TO220封裝MOSFET應用分析

型號: IPP052NE7N3-G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO220封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:IPP052NE7N3 G-VB
絲?。篤BM1808
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型:N溝道
- 額定電壓:80V
- 最大連續(xù)電流:100A
- 靜態(tài)開啟電阻(RDS(ON)):7mΩ @ 10V, 9mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓(Vgs):20V(±V)
- 閾值電壓(Vth):2.7V
- 封裝類型:TO220

應用簡介:
IPP052NE7N3 G-VB 是一款高電壓高電流N溝道功率MOSFET,適用于需要高性能功率開關的電子應用。以下是一些可能的應用領域模塊:

1. **電源開關模塊**:該MOSFET可用于高電壓高電流電源開關模塊,以實現(xiàn)高效電源的開關和調節(jié)。它適用于工業(yè)電源系統(tǒng)和高電流電源應用。

2. **電機控制模塊**:IPP052NE7N3 G-VB 可用于高電壓高電流電機控制模塊,如電機驅動、高電壓步進電機控制和高電壓無刷直流電機驅動。

3. **電池保護模塊**:在高電壓電池供電系統(tǒng)中,此MOSFET可用于電池保護電路,以防止過放電和過充電。其高電流和電壓特性使其適用于高電壓電池系統(tǒng)。

4. **高壓DC-DC變換器**:在需要高電壓轉換的DC-DC變換器中,IPP052NE7N3 G-VB 可用作開關器件,以幫助實現(xiàn)高電壓電能轉換。

5. **電力放大模塊**:該MOSFET可以用于音頻放大器和電力放大器等高電流高電壓模塊,以提供高性能的電力放大。

這些是一些可能用到 IPP052NE7N3 G-VB N溝道高電壓高電流MOSFET 的應用領域模塊的示例。該器件的參數(shù)使其適用于需要處理高電壓和高電流的應用,特別是在需要低導通電阻的場合。在實際應用中,請務必遵守數(shù)據(jù)手冊中的電氣規(guī)格和工作條件,以確保最佳性能和可靠性。

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