型號(hào)：ZXMP10A18KTC-VB
絲印：VBE2102M
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：P溝道
- 額定電壓：-100V
- 最大連續(xù)電流：-10A
- 靜態(tài)開啟電阻（RDS(ON)）：188mΩ @ 10V, 195mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓（Vgs）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：-1.77V
- 封裝類型：TO252

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
ZXMP10A18KTC-VB 是一款P溝道功率MOSFET，適用于需要高性能功率開關(guān)的電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域模塊：

1. **電源開關(guān)模塊**：該MOSFET可用于電源開關(guān)模塊，以實(shí)現(xiàn)高效電源的開關(guān)和調(diào)節(jié)。它適用于工業(yè)電源系統(tǒng)和高電流電源應(yīng)用。

2. **電池保護(hù)模塊**：在需要保護(hù)電池免受過放電和過充電的應(yīng)用中，ZXMP10A18KTC-VB 可用于電池保護(hù)電路，確保電池的安全運(yùn)行。

3. **高壓DC-DC變換器**：在需要高電壓轉(zhuǎn)換的DC-DC變換器中，此MOSFET可用作開關(guān)器件，以幫助實(shí)現(xiàn)高電壓電能轉(zhuǎn)換。

4. **電流控制模塊**：在需要高性能電流控制的應(yīng)用中，這款MOSFET可以用于電流傳感器和電流放大器模塊。

5. **電力放大模塊**：該MOSFET可以用于音頻放大器和電力放大器等高電流高電壓模塊，以提供高性能的電力放大。

這些是一些可能用到 ZXMP10A18KTC-VB P溝道高電壓高電流MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域模塊的示例。該器件的參數(shù)使其適用于需要處理高電壓和高電流的應(yīng)用，特別是在需要低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)合。在實(shí)際應(yīng)用中，請(qǐng)務(wù)必遵守?cái)?shù)據(jù)手冊(cè)中的電氣規(guī)格和工作條件，以確保最佳性能和可靠性。