型號：IPD036N04L-VB
絲?。篤BE1405
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- N溝道
- 額定電壓：40V
- 最大電流：85A
- 開態(tài)電阻 (RDS(ON))：4mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：1.85V
- 封裝：TO252

應用簡介：
IPD036N04L-VB是一款高性能N溝道MOSFET，適用于需要高電流承受能力和低開態(tài)電阻的高功率應用。這款MOSFET可用于電源開關(guān)、電機控制、電池保護和其他需要高性能的電路。

主要特點和應用領(lǐng)域：
1. **電源開關(guān)**：IPD036N04L-VB可用于電源開關(guān)應用，如開關(guān)電源、DC-DC變換器和開關(guān)穩(wěn)壓器。其高電流承受能力和低開態(tài)電阻使其適用于高功率電源。

2. **電機控制**：在電機驅(qū)動器和控制系統(tǒng)中，這款MOSFET可用于電機控制，例如直流電機、步進電機和電動汽車電機控制。

3. **電池保護**：在電池管理系統(tǒng)中，IPD036N04L-VB可以用于電池充放電控制、保護和平衡，確保電池組的安全運行。

4. **高功率應用**：由于其高電流承受能力和低開態(tài)電阻，該MOSFET適用于需要高性能和高功率的電路設計。

5. **電流開關(guān)**：這款MOSFET可用于電流開關(guān)應用，例如電流限制和保護電路。

總之，IPD036N04L-VB適用于多個領(lǐng)域，包括電源開關(guān)、電機控制、電池保護、高功率應用和電流開關(guān)等模塊。其N溝道特性和高電流承受能力等特性使其成為處理高電流和高功率應用的理想選擇，同時也可用于各種需要高性能N溝道MOSFET的電路設計。