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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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ME2323D-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: ME2323D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:ME2323D-VB
絲?。篤B2290
品牌:VBsemi
參數(shù):
- P溝道
- 額定電壓:-20V
- 最大電流:-4A
- 開態(tài)電阻 (RDS(ON)):57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):-0.81V
- 封裝:SOT23

應(yīng)用簡介:
ME2323D-VB是一款P溝道MOSFET,適用于需要低開態(tài)電阻和低電壓的應(yīng)用。這款MOSFET可用于電源開關(guān)、電池保護(hù)、信號放大和其他需要P溝道MOSFET的電路。

主要特點和應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源開關(guān)**:ME2323D-VB可用于電源開關(guān)應(yīng)用,尤其適用于低電壓電源,如電池供電設(shè)備。

2. **電池保護(hù)**:在電池管理系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電池充放電控制和保護(hù),確保電池組的安全運行。

3. **信號放大**:由于其低閾值電壓和低開態(tài)電阻,ME2323D-VB適用于信號放大和開關(guān)應(yīng)用,如放大電路和信號切換。

4. **低電壓應(yīng)用**:這款MOSFET的低電壓和低開態(tài)電阻特性使其適用于低電壓電路設(shè)計。

總之,ME2323D-VB適用于多個領(lǐng)域,包括電源開關(guān)、電池保護(hù)、信號放大和低電壓應(yīng)用等模塊。其P溝道特性和低電壓特性使其成為處理低電壓應(yīng)用的理想選擇,同時也可用于各種需要P溝道MOSFET的電路設(shè)計。

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