型號(hào)：NTR4101PT1G-VB
絲?。篤B2290
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類(lèi)型：P溝道
- 額定電壓：-20V
- 額定電流：-4A
- 開(kāi)通電阻（RDS(ON)）：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
- 門(mén)極-源極閾值電壓范圍（Vth）：-0.81V
- 門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓范圍：±12V
- 封裝類(lèi)型：SOT23

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
NTR4101PT1G-VB是一款P溝道MOSFET，適用于多種低電壓和低功率電子應(yīng)用。以下是一些可能的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊，其中這種MOSFET可能被廣泛使用：

1. **電源開(kāi)關(guān)**：這款MOSFET可用于便攜式設(shè)備、低功耗電源和電池供電設(shè)備中的電源管理電路。它可以實(shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)和能源轉(zhuǎn)換。

2. **低功耗電子**：NTR4101PT1G-VB適用于需要低功耗運(yùn)行的電子設(shè)備，如傳感器節(jié)點(diǎn)、嵌入式系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備。它有助于降低功耗，延長(zhǎng)電池壽命。

3. **信號(hào)開(kāi)關(guān)**：在各種信號(hào)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，這種MOSFET可以用作信號(hào)放大和切換電路的一部分，以控制信號(hào)傳輸和處理。

4. **充電保護(hù)**：NTR4101PT1G-VB還可以用于充電電路中，以實(shí)現(xiàn)電池充電管理和保護(hù)，確保充電過(guò)程安全和高效。

5. **驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)電路**：這款MOSFET可用于驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)電路，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)控制、放大器和信號(hào)處理。

總的來(lái)說(shuō)，NTR4101PT1G-VB是一款適用于低電壓和低功率應(yīng)用的P溝道MOSFET。它在電源管理、低功耗電子、信號(hào)開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)和驅(qū)動(dòng)器等多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。