型號：IRF5851TRPBF-VB
絲?。篤B5222
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N+P溝道
- 額定電壓：±20V
- 最大持續(xù)電流：7A（正向） / -4.5A（反向）
- 靜態(tài)導通電阻 (RDS(ON))：20mΩ @ 4.5V（正向） / 70mΩ @ 4.5V（反向），29mΩ @ 2.5V（正向） / 106mΩ @ 2.5V（反向）
- 閾值電壓 (Vth)：0.71V（正向） / -0.81V（反向）
- 封裝：SOT23-6

詳細參數(shù)說明：
IRF5851TRPBF-VB 是一款 N+P 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）器件，具有雙通道，其中一個為 N 溝道，另一個為 P 溝道。它支持額定電壓為 ±20V，并具有最大持續(xù)電流為 7A（正向）和 -4.5A（反向）。RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好，分別為正向 20mΩ @ 4.5V 和 29mΩ @ 2.5V，反向 70mΩ @ 4.5V 和 106mΩ @ 2.5V。此外，正向和反向的閾值電壓分別為 0.71V 和 -0.81V。

應用簡介：
IRF5851TRPBF-VB 是一種多功能的雙通道 MOSFET，適用于多種電路應用。它通常用于電源管理、電源開關、電源轉換器、電池保護電路、逆變器等領域的模塊。由于其雙通道設計，它在設計中具有更大的靈活性，可用于多種電流和電壓條件下的應用。SOT23-6 封裝使其易于安裝到電路板上。這種型號的 MOSFET 可以在需要 N 和 P 溝道器件的電路中提供可靠的性能，適用于多種領域，包括電子、通信、工業(yè)控制等。