型號(hào): SI2333DS-T1-GE3-VB

絲印: VB2290

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝類型: SOT23
- 溝道類型: P-Channel
- 額定電壓: -20V
- 最大電流: -4A
- 開(kāi)態(tài)電阻: RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓: Vth = -0.81V

封裝: SOT23

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** SOT23，表明該器件使用SOT23封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** P-Channel，指示這是一個(gè)P溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** -20V，說(shuō)明器件能夠正常工作的最大負(fù)電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** -4A，表示器件能夠承受的最大電流，負(fù)號(hào)表示電流方向?yàn)閺穆O到源極。
5. **開(kāi)態(tài)電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V，說(shuō)明在特定的柵源電壓下，開(kāi)態(tài)時(shí)的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = -0.81V，表示在柵源電壓作用下，器件從關(guān)態(tài)切換到開(kāi)態(tài)所需的最小電壓。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
SI2333DS-T1-GE3-VB是一款P-Channel MOSFET，適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
1. **電源管理模塊:** 由于其P溝道性質(zhì)，可用于電源開(kāi)關(guān)、逆變器等電源管理模塊。
2. **電池保護(hù):** 適用于電池管理系統(tǒng)，用于保護(hù)電池免受過(guò)放電和過(guò)充電的影響。
3. **電荷開(kāi)關(guān):** 用于控制電荷流動(dòng)，例如在移動(dòng)設(shè)備充電電路中。
4. **信號(hào)開(kāi)關(guān):** 用于開(kāi)關(guān)信號(hào)線，例如在通信系統(tǒng)中。

請(qǐng)注意，在具體設(shè)計(jì)中應(yīng)仔細(xì)參考該器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)以及應(yīng)用手冊(cè)，以確保正確的使用和性能。