型號(hào)：2SJ210-T1B-A-VB
絲?。篤B264K
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 封裝類型：SOT23
- 溝道類型：P—Channel
- 最大漏電壓（Vds）：-60V
- 最大漏極電流（Id）：-0.5A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：-1.87V

封裝：SOT23

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
2SJ210-T1B-A-VB是一款P-Channel溝道MOSFET，適用于多種電路和模塊設(shè)計(jì)，特別是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和一些特定應(yīng)用中。

領(lǐng)域模塊應(yīng)用：
1. **低功耗模塊：** 由于其較低的漏極電流和較高的漏極-源極電阻，適用于低功耗模塊設(shè)計(jì)，如便攜式電子設(shè)備、傳感器節(jié)點(diǎn)等。

2. **電源開關(guān)模塊：** 適用于電源開關(guān)電路設(shè)計(jì)，能夠提供可靠的功率開關(guān)和電源控制功能。

3. **放大器輸出級(jí)：** 在放大器輸出級(jí)電路中，2SJ210-T1B-A-VB可以用于實(shí)現(xiàn)高性能P-Channel MOSFET的放大和驅(qū)動(dòng)功能。

4. **電流源模塊：** 由于其低漏電流特性，可用于電流源電路設(shè)計(jì)，如電流源、電流放大器等。

5. **模擬開關(guān)電路：** 適用于一些需要模擬開關(guān)功能的電路設(shè)計(jì)，如模擬開關(guān)、模擬開關(guān)電源等。

請(qǐng)注意，以上是一些典型的應(yīng)用場(chǎng)景，實(shí)際使用時(shí)需根據(jù)具體電路和系統(tǒng)要求進(jìn)行選擇和設(shè)計(jì)。在集成2SJ210-T1B-A-VB時(shí)，建議仔細(xì)閱讀其數(shù)據(jù)手冊(cè)以獲取詳細(xì)的電特性和操作信息。