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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SI2333DDS-T1-GE3-VB場效應(yīng)管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

型號: SI2333DDS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: SI2333DDS-T1-GE3-VB

絲印: VB2290

品牌: VBsemi

參數(shù):
- 封裝類型: SOT23
- 溝道類型: P-Channel
- 額定電壓: -20V
- 最大電流: -4A
- 開態(tài)電阻: RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓: Vth = -0.81V

封裝: SOT23

**詳細參數(shù)說明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** SOT23,表明該器件使用SOT23封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** P-Channel,指示這是一個P溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** -20V,說明器件能夠正常工作的最大負電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** -4A,表示器件能夠承受的最大電流,負號表示電流方向為從漏極到源極。
5. **開態(tài)電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V,說明在特定的柵源電壓下,開態(tài)時的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = -0.81V,表示在柵源電壓作用下,器件從關(guān)態(tài)切換到開態(tài)所需的最小電壓。

**應(yīng)用簡介:**
SI2333DDS-T1-GE3-VB是一款P-Channel MOSFET,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
1. **電源開關(guān):** 由于其P溝道性質(zhì),可用于電源開關(guān)、電池保護等電源管理模塊。
2. **電池保護:** 適用于電池管理系統(tǒng),用于保護電池免受過放電和過充電的影響。
3. **信號開關(guān):** 用于開關(guān)信號線,例如在通信系統(tǒng)中。
4. **移動設(shè)備:** 適用于手機、平板電腦等移動設(shè)備中的電源管理和電池保護電路。

請注意,在具體設(shè)計中應(yīng)仔細參考該器件的數(shù)據(jù)手冊以及應(yīng)用手冊,以確保正確的使用和性能。

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