--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:FDD4141-VB
絲?。篤BE2412
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 封裝類型:TO252
- 溝道類型:P—Channel
- 最大漏電壓(Vds):-40V
- 最大漏極電流(Id):-65A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):-1.6V
封裝:TO252

應用簡介:
FDD4141-VB是一款P-Channel溝道MOSFET,適用于多種高功率電路和模塊設計,特別是在需要高性能P-Channel MOSFET的應用中。
領域模塊應用:
1. **電源模塊:** 適用于高功率開關電源、電源逆變器等模塊設計,能夠提供高效的電能轉換和穩(wěn)定的電源輸出。
2. **電機驅動模塊:** 由于其高電流和低漏電壓特性,可用于電機驅動和控制模塊,提供可靠的電流輸出和驅動性能,尤其在需要較高功率的應用中。
3. **電池保護模塊:** 用于電池充放電管理電路,提供高效的電池管理和保護功能。
4. **高功率LED照明模塊:** 在需要高亮度和高功率的LED照明系統(tǒng)中,F(xiàn)DD4141-VB可以用于開關電源設計,以實現(xiàn)高效的LED照明。
5. **電流控制模塊:** 適用于需要對電流進行精確控制的高功率模塊,如電流源、電流放大器等。
請注意,以上是一些典型的高功率應用場景,實際使用時需根據(jù)具體電路和系統(tǒng)要求進行選擇和設計。在集成FDD4141-VB時,建議仔細閱讀其數(shù)據(jù)手冊以獲取詳細的電特性和操作信息。
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