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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SQ9407EY-T1-GE3-VB場(chǎng)效應(yīng)管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

型號(hào): SQ9407EY-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):SQ9407EY-T1-GE3-VB

絲?。篤BA2658

品牌:VBsemi

封裝:SOP8

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **溝道類型(Channel Type):** P—Channel
- **最大漏電流(Maximum Drain Current):** -6A
- **最大漏電壓(Maximum Drain-Source Voltage):** -60V
- **導(dǎo)通電阻(On-Resistance):** RDS(ON)=50mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓(Gate Threshold Voltage):** Vth=-1.5V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
SQ9407EY-T1-GE3-VB是一款P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有較低的漏電流、高漏電壓、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異特性。采用SOP8標(biāo)準(zhǔn)封裝,適用于多種電子應(yīng)用。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域模塊:**
1. **電源開關(guān)模塊:** 由于SQ9407EY-T1-GE3-VB的P—Channel結(jié)構(gòu),適用于電源開關(guān)模塊,實(shí)現(xiàn)高效的電源控制和管理。

2. **電流控制模塊:** 該器件的高漏電流和低導(dǎo)通電阻使其在電流控制模塊中表現(xiàn)出色,可用于精準(zhǔn)的電流控制應(yīng)用。

3. **功率放大器模塊:** 由于其較高的漏電壓和低導(dǎo)通電阻,適用于功率放大器模塊,能夠提供可靠的功率放大功能。

4. **電池保護(hù)模塊:** 由于其性能參數(shù)的平衡,可用于電池保護(hù)電路,提供對(duì)電池的有效保護(hù)。

請(qǐng)根據(jù)具體的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求,選擇適當(dāng)?shù)脑?,并確保遵循相應(yīng)的規(guī)格和設(shè)計(jì)指南。

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