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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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CES2323-VB場效應(yīng)管一款P溝道SOT23封裝的晶體管

型號: CES2323-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT23封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號: CES2323-VB
絲印: VB2355
品牌: VBsemi
封裝: SOT23

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 架構(gòu): P-Channel MOSFET
- 電壓等級: -30V
- 電流能力: -5.6A (注意:這里的負(fù)號表示電流方向為漏極到源極)
- RDS(ON): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): -1V

**應(yīng)用簡介:**
CES2323-VB是一款SOT23封裝的P-Channel MOSFET,適用于多種領(lǐng)域的電路設(shè)計。以下是該器件可能應(yīng)用于的領(lǐng)域和模塊:

1. **電源逆變器:** 適用于電源逆變器模塊,能夠提供負(fù)電壓下的高效能量轉(zhuǎn)換。

2. **電源開關(guān):** 可用于負(fù)電壓下的電源開關(guān)模塊,實現(xiàn)對電路的可控制和可調(diào)節(jié)。

3. **信號放大:** 適用于一些需要負(fù)電壓信號放大的應(yīng)用,如音頻放大器等。

4. **電源保護:** 可用于負(fù)電壓下的電源保護模塊,確保電路在異常情況下能夠安全工作。

**使用注意事項:**
- 在設(shè)計電路時,確保了解和遵循器件的最大額定電壓和電流,以防止器件損壞。
- 注意適當(dāng)?shù)纳岽胧?,特別是在高電流應(yīng)用中,以確保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 由于是P-Channel MOSFET,其導(dǎo)通電阻和電流方向的特性與N-Channel MOSFET相反,請在設(shè)計中考慮這一點。

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