型號: NTD4860NT4G-VB
絲印: VBE1307
品牌: VBsemi
封裝: TO252

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 架構(gòu): N-Channel MOSFET
- 電壓等級: 30V
- 電流能力: 60A
- RDS(ON): 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): 1.6V

**應(yīng)用簡介:**
NTD4860NT4G-VB是一款TO252封裝的N-Channel MOSFET，適用于多種領(lǐng)域的高電流、低導(dǎo)通電阻的電路設(shè)計。以下是該器件可能應(yīng)用于的領(lǐng)域和模塊：

1. **電源模塊：** 適用于高功率電源模塊，如電源放大器和電源逆變器。

2. **電機(jī)控制：** 可用于高功率電機(jī)驅(qū)動，如電動工具和電動車輛。

3. **電源開關(guān)：** 在要求高電流和低導(dǎo)通電阻的電源開關(guān)模塊中可以發(fā)揮作用。

4. **電源放大器：** 適用于高功率放大器的輸出級，提高功率放大器的效率。

**使用注意事項:**
- 在設(shè)計電路時，確保了解和遵循器件的最大額定電壓和電流，以防止器件損壞。
- 由于高功率特性，需要考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧源_保器件在正常工作溫度范圍內(nèi)。
- 注意閾值電壓，確保在實際應(yīng)用中滿足所需的電流和電壓條件。