VBsemi STD3NK60Z-1-VB MOSFET 參數(shù)：
- 封裝：TO251
- 溝道類型：N—Channel
- 最大電壓：650V
- 最大電流：2A
- RDS(ON)：4300mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：2V
應(yīng)用簡介：
該 MOSFET 適用于低功率應(yīng)用，如電源開關(guān)、照明控制和電源適配器。其N—Channel溝道類型使其在正電壓操作的電路中具有優(yōu)越性能。
使用領(lǐng)域模塊：
1. 電源開關(guān)：作為低功率電源開關(guān)元件，用于小型電源系統(tǒng)。
2. 照明控制：在低功率照明系統(tǒng)中作為電流控制元件。
3. 電源適配器：用于低功率電源適配器電路。
作用：
1. 提供低功率應(yīng)用的高效能力。
2. 在電源開關(guān)和照明控制中實(shí)現(xiàn)正電壓操作。
3. 適用于低功率電源適配器電路。
使用注意事項(xiàng)：
1. 請(qǐng)按照數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的最大額定值操作，以避免損壞設(shè)備。
2. 在設(shè)計(jì)中考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧?，以確保器件在額定工作溫度下穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 避免超過最大額定電流和電壓，以防止設(shè)備過載。
4. 在使用過程中，注意靜電防護(hù)，避免損壞敏感元件。
