--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 服務(wù)區(qū)域 全國
- 服務(wù)資質(zhì) CNAS
- 發(fā)票 可提供
- 加急服務(wù) 可提供
- 報告類型 中英文電子/紙質(zhì)報告
--- 產(chǎn)品詳情 ---
服務(wù)范圍
大規(guī)模集成電路芯片
檢測標準
●JESD22-A103/ A104/ A105/ A108/ A110
●J-STD-020
●JS-001/002
●JESD78
檢測項目
(1)芯片級可靠性驗證試驗:高、低溫壽命老化試驗,高、低溫存儲試驗,溫度(功率)循環(huán)、沖擊試驗,高溫高濕試驗,高加速應力試驗,芯片級機械測試試驗,推拉力測試。
(2)芯片靜電及閂鎖測試( ESD/LU):人體、機器放電模式測試及驗證(HBM/MM/TLP),系統(tǒng) ESD、EOS 測試(IEC-ESD/Surge/EFT),元器件充放電模式測試(CDM),閂鎖測試(LU)。
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
EUV制程工藝的高集成度芯片是新一代5G通信技術(shù)的核心。面向不同的5G應用場景的可靠性應用驗證是5G芯片推向市場應用的關(guān)鍵步驟,芯片級試驗驗證的需求越來越急迫,挑戰(zhàn)也越來越大。
我們的優(yōu)勢
(1)提供面向多場景的芯片動態(tài)老煉測試(TDBI),為產(chǎn)品NPI階段提供專業(yè)和全面的?煉測試方案,解決動態(tài)?煉過程中?功耗芯片獨立溫控,矢量畸變和延時的眾多困擾;
(2)芯片封裝完整性全面測試,包含引線鍵合拉力,芯片粘接力,可焊性等,對芯片封裝可靠性進?更為科學的評估;
(3)芯片靜電及閂鎖測試,提供覆蓋人體/機器放電模式測試及驗證( H B M / M M / T L P )、系統(tǒng)E SD/ E O S測試( I E CESD/Surge/EFT)、元器件充放電模式測試(CDM)和閂鎖測試(LU)。
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