Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn),SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率?! £P(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合,可提供最佳的性價(jià)比?;旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管,也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇,與純硅解決方案相比,可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?,具有低的?dǎo)通損耗?! 〉?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! ?b class="flag-6" style="color: red">二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
商用?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開(kāi)始商用,至今已有20年商用積累,并在部分高中端電源市場(chǎng)批量應(yīng)用,逐步向通用市場(chǎng)滲透,具備廣闊的市場(chǎng)前景?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
。 相對(duì)應(yīng)的,硅材料的禁帶寬度較低,在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高,而高的漏電流會(huì)造成熱擊穿,這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復(fù)二極管 耐壓
2023-02-28 16:34:16
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
%至 97%的系統(tǒng)效率。此外,CoolSiC 肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計(jì)而言,該器件是實(shí)現(xiàn)硬換向的理想器件,損耗可降低 30%。由于具有較低的冷卻要求,該二極管還能降低系統(tǒng)成本,帶來(lái)極佳的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。詳情見(jiàn)附件。。。。。。
2021-03-29 11:00:47
肖特基二極管和普通穩(wěn)壓二極管有什么區(qū)別
2020-04-13 17:11:31
肖特基二極管結(jié)構(gòu):肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與。PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬(金、銀、鋁、鉬、鉑等材料制造成阻擋層)、二氧化硅消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)(提高管子耐壓)、N一外延層、N型硅基片
2020-11-16 16:34:24
少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)很小,其頻率響應(yīng)僅受RC時(shí)間常數(shù)的限制。因此,它是一種理想的高頻快速開(kāi)關(guān)器件。 肖特基二極管有什么用?肖特基二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降VF比較小,在相同電流情況下,其正向壓降要
2021-10-18 16:45:00
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大,但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合,普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?! ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管,近年來(lái)開(kāi)發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短,特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料,幾乎不
2023-02-15 14:24:47
的整體系統(tǒng)尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?! ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體二極管)主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)功率器件(如IGBT或MOSFET),以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管,也稱為熱載流二極管,通過(guò)
2023-02-07 15:59:32
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)是一種單極型器件,采用結(jié)勢(shì)壘
肖特基二極管結(jié)構(gòu)(JBS),因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)
二極管(SiFRD),
碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性??梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:05
6028 碳化硅肖特基功率二極管G3S06504A產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 15:55:05
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2022-08-30 15:12:46
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2022-08-30 15:11:07
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2022-08-30 15:10:17
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2022-08-30 15:06:04
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2022-08-30 15:01:53
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2022-08-30 14:59:29
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2022-08-30 14:58:30
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2022-08-30 14:57:05
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2022-08-30 14:45:20
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2022-08-30 11:22:52
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2022-08-30 09:37:16
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2022-08-30 09:31:26
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2022-08-31 14:33:09
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2022-08-31 14:31:09
3 碳化硅肖特基功率二極管G4H06510AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:38:32
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2022-08-31 11:37:44
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2022-08-31 11:28:27
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2022-08-31 11:26:22
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2022-08-31 11:11:47
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2022-08-31 11:10:25
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2022-08-31 11:09:48
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2022-08-31 10:59:49
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2022-08-31 10:58:33
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2022-08-31 10:42:08
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2022-08-31 10:39:58
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2022-08-31 10:06:54
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2022-08-31 10:01:25
0 碳化硅肖特基功率二極管G5S12040BM產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 10:00:18
0 碳化硅肖特基功率二極管G5S12050PM 產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 09:58:08
0 碳化硅肖特基功率二極管G5S12030PMT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 09:56:29
0 碳化硅肖特基功率二極管G5S12040PMT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 09:55:51
0 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34
802 7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-15 11:20:41
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評(píng)論