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碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱 穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率 器件的關(guān)鍵因素。 得益于出色的物理和電子特性，基于 SiC 的功率器件正在推動(dòng)電力電子設(shè)備的徹底變革。盡管這種材料早已為人所知，但它作為半導(dǎo)體的使用相對(duì)較新， 這在很大程度上是由于大型和高質(zhì)量晶片的可用性。近幾十年來(lái)，人們的努力集中在開發(fā)特定且獨(dú)特的高溫晶體生長(zhǎng)工藝上。盡管 SiC 具有不同的多晶型 晶體結(jié)構(gòu)（也稱為多型），但 4H-SiC 多型六方晶體結(jié)構(gòu)最適合高功率應(yīng)用。
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