改善查看周期:調(diào)試DDR和DDR2系統(tǒng)中的間歇性存儲(chǔ)器問(wèn)題應(yīng)
2010-07-28 |
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資料介紹
引言
為什么有些工程團(tuán)隊(duì)可以相對(duì)容易地檢驗(yàn)和調(diào)試間歇性存儲(chǔ)器問(wèn)題,而有些團(tuán)隊(duì)則會(huì)非常費(fèi)力呢?在試圖確定間歇性存儲(chǔ)器問(wèn)題的根本原因時(shí),怎樣才能保證不會(huì)浪費(fèi)寶貴的時(shí)間呢?
存儲(chǔ)器問(wèn)題的典型原因包括定時(shí)關(guān)系達(dá)到邊界、違反協(xié)議、時(shí)鐘完整性問(wèn)題、信號(hào)完整性問(wèn)題、其它總線的錯(cuò)誤、BIOS對(duì)片內(nèi)端接(ODT)的設(shè)置不正確、Cas時(shí)延無(wú)效等等。怎樣確定哪一個(gè)才是導(dǎo)致設(shè)計(jì)問(wèn)題的真正原因呢?
本應(yīng)用指南概括介紹了調(diào)試方法,介紹了多種工具和技術(shù)。在DDR和DDR2系統(tǒng)(包括全面緩沖的DIMM的SDRAM一側(cè))中調(diào)試存儲(chǔ)器問(wèn)題時(shí),您可以利用這些工具和技術(shù),不但節(jié)約時(shí)間,而且能幫助您更好地了解系統(tǒng)性能。
為什么有些工程團(tuán)隊(duì)可以相對(duì)容易地檢驗(yàn)和調(diào)試間歇性存儲(chǔ)器問(wèn)題,而有些團(tuán)隊(duì)則會(huì)非常費(fèi)力呢?在試圖確定間歇性存儲(chǔ)器問(wèn)題的根本原因時(shí),怎樣才能保證不會(huì)浪費(fèi)寶貴的時(shí)間呢?
存儲(chǔ)器問(wèn)題的典型原因包括定時(shí)關(guān)系達(dá)到邊界、違反協(xié)議、時(shí)鐘完整性問(wèn)題、信號(hào)完整性問(wèn)題、其它總線的錯(cuò)誤、BIOS對(duì)片內(nèi)端接(ODT)的設(shè)置不正確、Cas時(shí)延無(wú)效等等。怎樣確定哪一個(gè)才是導(dǎo)致設(shè)計(jì)問(wèn)題的真正原因呢?
本應(yīng)用指南概括介紹了調(diào)試方法,介紹了多種工具和技術(shù)。在DDR和DDR2系統(tǒng)(包括全面緩沖的DIMM的SDRAM一側(cè))中調(diào)試存儲(chǔ)器問(wèn)題時(shí),您可以利用這些工具和技術(shù),不但節(jié)約時(shí)間,而且能幫助您更好地了解系統(tǒng)性能。
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