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三菱電機自動化(中國)有限公司 作為三菱電機集團成員之一,致力于為中國用戶創(chuàng)造更多價值,不僅提供先進的產(chǎn)品和技術(shù),同時不斷創(chuàng)新,快速、準確地把握市場動態(tài),提供適合客戶需求的綜合解決方案。
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三菱電機發(fā)布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱電機集團近日宣布,開始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品。P...
三菱電機集團近日宣布,將推出一項基于網(wǎng)絡的服務,提供有關(guān)配備包含三個LV100絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的專有逆變器原型機*的設計和驗證數(shù)據(jù),旨...
三菱電機宣布了一項重大戰(zhàn)略調(diào)整,計劃投資1.4億美元對其位于美國肯塔基州的汽車零部件工廠進行重組,以順應全球汽車行業(yè)變革與人工智能市場的蓬勃發(fā)展。此次改...
三菱電機宣布了一項斥資1.4億美元的重大轉(zhuǎn)型計劃,旨在將其位于美國肯塔基州的汽車零部件工廠重塑為空調(diào)設備壓縮機生產(chǎn)基地,以迎合人工智能(AI)驅(qū)動的數(shù)據(jù)...
三菱電機加速光學芯片布局,2025年量產(chǎn)新一代產(chǎn)品
三菱電機近日宣布了一項重要戰(zhàn)略計劃,旨在進一步擴大其在光學芯片領域的市場份額。公司透露,將于今年10月率先推出新一代面向數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓鈱W芯片樣品,以滿足全...
在科技日新月異的今天,半導體產(chǎn)業(yè)作為信息技術(shù)的基石,其重要性不言而喻。近期,日本半導體行業(yè)傳來振奮人心的消息,索尼、三菱電機等八大日本半導體巨頭攜手宣布...
三菱電機集團近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢壘二極管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET模塊,以滿足大型工業(yè)設備市場對高性能逆變器日益增長的需求...
三菱電機集團近日宣布,從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管(...
三菱電機推出新型GaN功率放大器模塊,助力5G mMIMO基站擴展
三菱電機集團近日宣布,將向市場提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品,專為5G massive MIMO(mMIMO)基站...
三菱電機將發(fā)布全新網(wǎng)絡服務,加速大功率逆變器開發(fā)
三菱電機集團,一直以其技術(shù)實力和創(chuàng)新精神在電力行業(yè)占據(jù)重要地位。近日,該集團宣布將于近日推出一項全新的基于網(wǎng)絡的服務,旨在為客戶提供大功率逆變器開發(fā)的有力支持。
三菱電機出席第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術(shù)年會
4月12日至14日,第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術(shù)年會在安徽宣城隆重舉辦,本屆會議由中國高校電力電子與電力傳動學術(shù)年會組織委員會主辦,合肥工業(yè)大學承辦。
三菱電機總裁Kei Urushima表示,聯(lián)合開發(fā)將以"從Coherent接收襯底,采用我們的技術(shù),然后將其返還給Coherent"...
三菱電機2024RUN FOR ECO“為綠色 跑出色” 踐行環(huán)保每一步
2024年3月18日至3月23日,三菱電機(中國)有限公司(以下簡稱“三菱電機”)再度攜手中華環(huán)境保護基金會,開展RUN FOR ECO“為綠色 跑出色...
2024-03-25 標簽:三菱電機 656 0
三菱電機將開始提供其新型光器件樣品—內(nèi)置波長監(jiān)視器的DFB*1-CAN
三菱電機集團近日(2024年3月21日)宣布,將于4月1日開始提供其新型光器件樣品——內(nèi)置波長監(jiān)視器的DFB*1-CAN。這種創(chuàng)新的新型光源是業(yè)界率先使...
三菱電機計劃在熊本縣菊池市的現(xiàn)有工廠廠區(qū)內(nèi)投資約1000億日元(折合人民幣約48.56億元)建設新的SiC(碳化硅)晶圓廠。
加速布局智能制造 三菱電機與中國信通院共建重慶智能制造科創(chuàng)中心
2024年3月11日,由中國信息通信研究院西部分院(以下簡稱“中國信通院西部分院”)牽頭,聯(lián)合三菱電機(中國)有限公司(以下簡稱“三菱電機”)與信通院工...
三菱電機發(fā)布商用手持雙向無線電用6.5W硅射頻高功率MOSFET樣品
三菱電機集團近日(2024年2月27日)宣布,將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻(RF)高功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)樣品,...
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