三菱電機計劃在熊本縣菊池市的現(xiàn)有工廠廠區(qū)內(nèi)投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設新的SiC（碳化硅）晶圓廠。這座新廠房將專門用于生產(chǎn)8英寸SiC晶圓，預計在2026年4月啟用生產(chǎn)。

三菱電機表示，與2022年相比，公司2026年的晶片產(chǎn)能將擴大約5倍。

這一投資舉措是三菱電機為了增強其SiC功率半導體的生產(chǎn)體系，以應對日益增長的市場需求。

據(jù)介紹，新大樓共六層，總建筑面積約42,000平方米。它具備生產(chǎn)直徑為200毫米（8 英寸）的 SiC 晶圓的功率半導體的前端工藝。所有的工序?qū)⒔尤胱詣虞斔拖到y(tǒng)，打造高效率生產(chǎn)線。三菱電機計劃根據(jù)不斷增長的需求逐步提高產(chǎn)能。

在當天舉行的奠基儀式上，三菱電機高級執(zhí)行官、半導體和器件部門總經(jīng)理Masayoshi Takemi強調(diào)：“功率半導體將在實現(xiàn)脫碳社會方面發(fā)揮重要作用。作為一家專門生產(chǎn)SiC晶片的新工廠，我們也在考慮節(jié)能節(jié)水事宜”。