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先進(jìn)封裝

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先進(jìn)封裝可以提高加工效率，提高設(shè)計(jì)效率，減少設(shè)計(jì)成本，降低芯片尺寸等優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體器件有許多封裝形式，半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了多次重大革新，芯片級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)?，F(xiàn)在涌現(xiàn)了倒裝類（FlipChip，Bumping），晶圓級(jí)封裝（WLCSP，F(xiàn)OWLP，PLP），2.5D封裝等。

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先進(jìn)封裝技術(shù)

先進(jìn)封裝技術(shù)-17硅橋技術(shù)(下)

先進(jìn)封裝技術(shù)（Semiconductor Advanced Packaging） - 1 混合鍵合技術(shù)（上）先進(jìn)封裝技術(shù)（Semiconductor ...

2024-12-24 標(biāo)簽：芯片先進(jìn)封裝 1882 0

芯片先進(jìn)封裝的優(yōu)勢(shì)

芯片的先進(jìn)封裝是一種超越摩爾定律的重要技術(shù)，它可以提供更好的兼容性和更高的連接密度，使得系統(tǒng)集成度的提高不再局限于同一顆芯片。

2024-01-16 標(biāo)簽：芯片倒裝芯片晶圓級(jí)封裝 1758 0

芯片先進(jìn)封裝硅通孔(TSV)技術(shù)說明

高性能計(jì)算機(jī)中日益廣泛采用“處理器+存儲(chǔ)器”體系架構(gòu)，近兩年來Intel、AMD、 Nvidia都相繼推出了基于該構(gòu)架的計(jì)算處理單元產(chǎn)品，將多個(gè)存儲(chǔ)器與...

2025-01-27 標(biāo)簽：芯片 TSV 先進(jìn)封裝 1737 0

先進(jìn)封裝技術(shù)-16硅橋技術(shù)(上)

先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Packaging) - 1 混合鍵合技術(shù)(上) 先進(jìn)封裝技術(shù)(Semiconductor ...

2024-12-24 標(biāo)簽：芯片先進(jìn)封裝 1701 0

技術(shù)前沿：半導(dǎo)體先進(jìn)封裝從2D到3D的關(guān)鍵

技術(shù)前沿：半導(dǎo)體先進(jìn)封裝從2D到3D的關(guān)鍵半導(dǎo)體分類集成電路封測(cè)技術(shù)水平及特點(diǎn)?? ? 1. 發(fā)展概述 ·自20世紀(jì)90年代以來，集成電路封裝技術(shù)快...

2025-01-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 3D 2D 1687 0

先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)格局全景解析

隨著芯片在算速與算力上的需求同步提升，當(dāng)前高速信號(hào)傳輸、優(yōu)化散熱性能、實(shí)現(xiàn)更小型化的封裝、降低成本、提高可靠性以及實(shí)現(xiàn)芯片堆疊等已成為封裝領(lǐng)域的新追求。

2024-03-13 標(biāo)簽：集成電路封裝技術(shù)先進(jìn)封裝 1683 0

TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢(shì)展望

先進(jìn)封裝是芯片設(shè)計(jì)的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個(gè)主要的IC廠商包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測(cè)廠商，開發(fā)了一大批專利技術(shù)，使用TSV達(dá)成各種復(fù)...

2024-02-25 標(biāo)簽：sram 芯片設(shè)計(jì)TSV 1670 0

2.5D封裝與異構(gòu)集成技術(shù)解析

隨著基于半導(dǎo)體技術(shù)的電子器件和產(chǎn)品在生產(chǎn)和生活中廣泛應(yīng)用，以集成電路為核心的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為推動(dòng)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的支柱型產(chǎn)業(yè)。為了滿足消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品輕薄化...

2024-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體系統(tǒng)級(jí)封裝先進(jìn)封裝 1640 0

Wafer半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)Advance Package簡(jiǎn)介

? ? ? ? 審核編輯：彭靜

2023-05-18 標(biāo)簽：封裝技術(shù)Wafer 先進(jìn)封裝 1632 0

先進(jìn)封裝：成后摩爾時(shí)代提升性能的主要技術(shù)

封裝技術(shù)的發(fā)展史是芯片性能不斷提高、系統(tǒng)不斷小型化的歷史。封裝是半導(dǎo)體晶圓制造的后道工序之一，目的是支撐、保護(hù)芯片，使芯片與外界電路連接、增強(qiáng)導(dǎo)熱性能等...

2023-06-11 標(biāo)簽：pcb 封裝技術(shù)后摩爾時(shí)代 1615 0

先進(jìn)封裝技術(shù)的類型簡(jiǎn)述

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，先進(jìn)封裝作為后摩爾時(shí)代全球集成電路的重要發(fā)展趨勢(shì)，正日益受到廣泛關(guān)注。受益于AI、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等下游強(qiáng)勁需求，半...

2024-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 1606 0

深入了解臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)—3DFabric

進(jìn)入2010年代后，線寬接近原子的尺寸，微細(xì)化的速度開始放緩；隨著前沿制造技術(shù)的使用成本越來越高，設(shè)計(jì)方法正在轉(zhuǎn)向多芯片模塊。

2023-08-11 標(biāo)簽：TSMC 單芯片 SoC芯片 1602 0

先進(jìn)封裝Underfill工藝中的四種常用的填充膠CUF,NUF,WLUF和MUF介紹

今天我們?cè)僭敿?xì)看看Underfill工藝中所用到的四種填充膠：CUF，NUF，WLUF和MUF。倒裝芯片的底部填充工藝一般分為三種：毛細(xì)填充（流動(dòng)型）...

2025-01-28 標(biāo)簽：封裝先進(jìn)封裝 1594 0

先進(jìn)封裝技術(shù)：BGA的焊球布線結(jié)構(gòu)圖

BGA的焊球分布有全陣列和部分陣列兩種方法。全陣列是焊球均勻地分布在基板整個(gè)底面;部分陣列是焊球分布在基板的周邊、中心部位，或周邊和中心部位都有。

2023-09-06 標(biāo)簽：單芯片封裝技術(shù)BGA 1591 0

淺談先進(jìn)封裝的四要素

說起傳統(tǒng)封裝，大家都會(huì)想到日月光ASE，安靠Amkor，長(zhǎng)電JCET，華天HT，通富微電TF等這些封裝大廠OSAT；說起先進(jìn)封裝，當(dāng)今業(yè)界風(fēng)頭最盛的卻是...

2023-12-21 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶圓 1584 0

先進(jìn)封裝技術(shù)-19 HBM與3D封裝仿真

先進(jìn)封裝技術(shù)（Semiconductor Advanced Packaging） - 1 混合鍵合技術(shù)（上）先進(jìn)封裝技術(shù)（Semiconductor ...

2025-01-08 標(biāo)簽：仿真 3D封裝 HBM 1530 0

先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展

2023-09-06 標(biāo)簽：封裝電鍍 TSV 1459 0

先進(jìn)封裝有哪些材料

? 半導(dǎo)體封裝測(cè)試構(gòu)成了晶圓制造流程的后階段，緊隨芯片制造步驟之后。此階段涉及將制造完成的晶圓進(jìn)行封裝與測(cè)試，進(jìn)而根據(jù)實(shí)際需求與功能特性，將通過測(cè)試的晶...

2024-12-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體玻璃基板先進(jìn)封裝 1449 0

先進(jìn)封裝之芯片熱壓鍵合技術(shù)

回顧過去五六十年，先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來提升。提升的主要?jiǎng)恿碜匀龢O管數(shù)量的增加來實(shí)現(xiàn)，而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的作...

2023-05-11 標(biāo)簽：芯片三極管晶圓 1411 0

推動(dòng)AI高性能計(jì)算的先進(jìn)封裝解決方案

在半導(dǎo)體前段制程微縮日趨減緩后，異質(zhì)整合先進(jìn)封裝技術(shù)已然成為另一個(gè)實(shí)現(xiàn)功能整合與元件尺寸微縮的重要技術(shù)發(fā)展潮流。伴隨著人工智能物聯(lián)網(wǎng) (AI-centr...

2023-12-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì) 1384 0

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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先進(jìn)封裝

先進(jìn)封裝技術(shù)

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