光刻技術(shù)概述及光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限...

2018-04-17 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù) 3.5萬 0

光刻技術(shù)的基本原理!光刻技術(shù)的種類光學(xué)光刻

2019-01-02 標(biāo)簽：芯片集成電路光刻技術(shù) 2.9萬 0

硅拋光片生產(chǎn)工藝流程與光刻的基本

目前，我國硅拋光片行業(yè)需求量約6億平方英寸，國內(nèi)產(chǎn)量5.19億平方英寸，部分產(chǎn)品還需要從國外進(jìn)口滿足國內(nèi)市場需求，近幾年我國集成電路行業(yè)平穩(wěn)發(fā)展，給硅拋...

2019-09-09 標(biāo)簽：芯片光刻技術(shù) 1.4萬 0

面對EUV光刻技術(shù)，芯片制造商如何權(quán)衡復(fù)雜分類

除了阻抗，還有其他問題，即EUV光掩?；A(chǔ)設(shè)施。光掩模是給定IC設(shè)計(jì)的主模板。面膜開發(fā)之后，它被運(yùn)到制造廠。將掩模放置在光刻工具中。該工具通過掩模投射光...

2017-09-29 標(biāo)簽：英特爾光刻技術(shù)EUV 1.3萬 0

光刻技術(shù)的原理和EUV光刻技術(shù)前景

2018-06-27 標(biāo)簽：芯片集成電路光刻技術(shù) 1.3萬 0

電子束曝光原理_電子束曝光結(jié)構(gòu)

本文主要闡述了電子束曝光原理及結(jié)構(gòu)。

2020-11-27 標(biāo)簽：電子束光刻技術(shù) 1.1萬 0

芯片制造四大基本工藝

芯片制造四大基本工藝包括：芯片設(shè)計(jì)、FPGA驗(yàn)證、晶圓光刻顯影、蝕刻、芯片封裝等，晶片制作過程最為復(fù)雜，需經(jīng)過濕洗、光刻、 離子注入、干蝕刻、等離子沖洗...

2021-12-22 標(biāo)簽：芯片晶圓光刻技術(shù) 2.2萬 0

光刻技術(shù)的發(fā)展史

集成電路的飛速發(fā)展有賴于相關(guān)的制造工藝光刻技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)是迄今所能達(dá)到的最高精度的加工技術(shù)。 集成電路產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代信息社會(huì)的基石。集成電路的發(fā)明使電...

2020-12-05 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù) 1.5萬 0

半導(dǎo)體光刻技術(shù)及其發(fā)展歷程，一個(gè)詳盡立體的光刻世界

對于采用不同設(shè)備制造相同制程IC的制造廠來說，其技術(shù)水平差異就會(huì)很突出，例如，有的廠商用EUV設(shè)備（光刻波長為13.5nm）才能做7nm芯片，而有的廠商...

2018-11-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體光刻技術(shù) 1.2萬 0

一文讓你深度了解光刻機(jī)

2019-05-08 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù) 1.1萬 0

中芯國際7nm、5nm工藝任重道遠(yuǎn) 獲得美國供應(yīng)許可

去年中芯國際被美國列入了實(shí)體清單，購買美國廠商的半導(dǎo)體設(shè)備及技術(shù)受到限制。今天業(yè)界消息稱中芯國際已經(jīng)獲得了美國的許可，14nm及28nm等工藝可以恢復(fù)供應(yīng)。

2021-03-02 標(biāo)簽：中芯國際光刻技術(shù)7nm 8957 0

7nm節(jié)點(diǎn)后光刻技術(shù)從DUV轉(zhuǎn)至EUV，設(shè)備價(jià)值劇增

芯片行業(yè)從20世紀(jì)90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻（紫外線波長范圍是10~400nm）用以取代現(xiàn)在的193nm。EUV本身也有局限，比如容...

2019-10-01 標(biāo)簽：摩爾定律光刻技術(shù)EUV 8627 0

集成電路的發(fā)展與其制造工藝─——光刻技術(shù)

光刻技術(shù)的進(jìn)步使得器件的特征尺寸不斷減小，芯片的集成度和性能不斷提高。在摩爾定律的引領(lǐng)下,光學(xué)光刻技術(shù)經(jīng)歷了接觸/接近、等倍投影、縮小步進(jìn)投影、步進(jìn)掃描...

2020-12-14 標(biāo)簽：集成電路控制系統(tǒng)光刻技術(shù) 8294 0