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標(biāo)簽 > 光刻技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。
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本文是A. N. BROERS關(guān)于掃描電鏡在微納加工中應(yīng)用的研究回顧，重點(diǎn)記錄了他從1960年代開始參與電子束加工技術(shù)開發(fā)的歷程。文章詳細(xì)記錄了EBL技...
自對準(zhǔn)雙重圖案化技術(shù)的優(yōu)勢與步驟
在芯片制造中，光刻技術(shù)在硅片上刻出納米級的電路圖案。然而，當(dāng)制程進(jìn)入7納米以下，傳統(tǒng)光刻的分辨率已逼近物理極限。這時(shí)， 自對準(zhǔn)雙重圖案化（SADP） 的...
定向自組裝光刻技術(shù)的基本原理和實(shí)現(xiàn)方法
定向自組裝光刻技術(shù)通過材料科學(xué)與自組裝工藝的深度融合，正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)構(gòu)外延法、化學(xué)外延法及圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。
隨著極紫外光刻（EUV）技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢，在特定領(lǐng)域正形成差異化競爭格局。
? ? ? 本文介紹了什么是光罩（Mask）。 光罩（Mask），也稱為掩膜版，是集成電路（IC）制造過程中核心且關(guān)鍵的元件之一。作為光刻技術(shù)的核心工具...
? 本文介紹了用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤式光刻技術(shù)。 芯片制造：光刻技術(shù)的演進(jìn) 過去半個(gè)多世紀(jì)，摩爾定律一直推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長...
光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng)，光刻膠的需求...
電子束光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)對納米結(jié)構(gòu)特征的精細(xì)控制
電子束光刻技術(shù)使得對構(gòu)成多種納米技術(shù)基礎(chǔ)的納米結(jié)構(gòu)特征實(shí)現(xiàn)精細(xì)控制成為可能。納米結(jié)構(gòu)制造與測量的研究人員致力于提升納米尺度下的光刻精度，并開發(fā)了涵蓋從光...
分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形，通過模擬計(jì)算確定最佳光...
在萬物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是...
那這個(gè)電壓差異如何變成可以甄別的表面圖像明顯的明暗變化呢？大家應(yīng)該都知道電子被正電壓吸引，被負(fù)電壓排斥。如下圖所示，這兩塊地方因?yàn)榻饘倩ミB的差異產(chǎn)生了不...
光刻工藝流程示意圖：半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)
光刻材料一般特指光刻膠，又稱為光刻抗蝕劑，是光刻技術(shù)中的最關(guān)鍵的功能材料。這類材料具有光（包括可見光、紫外光、電子束等）反應(yīng)特性，經(jīng)過光化學(xué)反應(yīng)后，其溶...
2024-03-31 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)半導(dǎo)體制造 4779 0
一般來說SiO2是作為大部分器件結(jié)構(gòu)中的絕緣體 或 在器件制作過程中作為擴(kuò)散或離子注入的阻擋層。
集成電路制造關(guān)鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強(qiáng)度、高彈性模量、高導(dǎo)熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn)，且且結(jié)構(gòu)件要具有極高的尺寸精度和結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，...
電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成...
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，...
直接成像（DI）是指計(jì)算機(jī)將電路設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)換為機(jī)器可識(shí)別的圖形數(shù)據(jù)，并由計(jì)算機(jī)控制光束調(diào)制器實(shí)現(xiàn)圖形的實(shí)時(shí)顯示，再通過光學(xué)成像系統(tǒng)將圖形光束聚焦成像至已...
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200...
雙光子光刻技術(shù)能夠精確制備三維結(jié)構(gòu)，并將其精準(zhǔn)集成在光電芯片上，能夠在光纖-芯片以及芯片-芯片之間，構(gòu)建大帶寬、低損耗的光信號鏈路，實(shí)現(xiàn)光信號的高效互連...
激光對熱塑材料的焊接主要是采用激光透射焊接的方法。此方法對被焊接的兩種材料性質(zhì)有一定的要求，也就是上面的熱塑層對采用的激光波長是透明的，而下面的熱塑層能...
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