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標(biāo)簽 > 光刻技術(shù)

光刻技術(shù)

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個(gè)數(shù)量級(jí)(從毫米級(jí)到亞微米級(jí)),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

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光刻技術(shù)資訊

EUV光刻市場高速增長,復(fù)合年增長率21.8%

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193i光刻技術(shù)再次走向舞臺(tái)中心

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與此相關(guān)的是打印弧形特征而不是直線特征的能力。Levinson說:”你用曲線特征得到的工藝窗口要比直線近似的好。有一些障礙,人們正在努力解決這些問題。但...

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中國的先進(jìn)封裝技術(shù)取得突破

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光刻技術(shù)再次升級(jí)了

中國在半導(dǎo)體芯片制造方面仍落后于美國。早在上世紀(jì)60年代,美國就開始占據(jù)世界半導(dǎo)體市場的絕對主導(dǎo)地位。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體芯片的制造越來越精細(xì)化。...

2023-06-01 標(biāo)簽:納米技術(shù)光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 1043 0

NVIDIA H100 GPU為2nm芯片加速計(jì)算光刻!

現(xiàn)代工藝技術(shù)將晶圓廠設(shè)備要求推向極限,需要實(shí)現(xiàn)突破其物理極限的高分辨率,這正是計(jì)算光刻技術(shù)發(fā)揮作用的地方。計(jì)算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù),它結(jié)合...

2023-04-26 標(biāo)簽:芯片NVIDIA光刻技術(shù) 1610 0

淺談光刻技術(shù)

在整個(gè)芯片制造過程中,幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。

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中國科學(xué)院大學(xué)在近場光學(xué)鄰近效應(yīng)研究中獲得進(jìn)展

為滿足集成電路中對納米結(jié)構(gòu)器件的尺寸及質(zhì)量的高性能要求,有效地解決表面等離子體光刻技術(shù)中存在的near-field OPE問題,中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)...

2023-04-18 標(biāo)簽:集成電路光刻技術(shù)結(jié)構(gòu)器件 1072 0

AI輔助制芯技術(shù),將計(jì)算光刻提速40倍

黃仁勛稱,英偉達(dá)經(jīng)過與臺(tái)積電、ASML、Synopsys(新思科技)三大半導(dǎo)體巨頭的多年合作,終于推出了這一技術(shù),大大降低芯片代工廠在這一工序上所消耗的...

2023-03-24 標(biāo)簽:AI光刻技術(shù)英偉達(dá) 2239 0

GTC 2023:NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果

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2023-03-22 標(biāo)簽:摩爾定律NVIDIA光刻技術(shù) 1.1萬 0

納米壓印光刻,能讓國產(chǎn)繞過ASML嗎?

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下一代EUV***,關(guān)鍵技術(shù)拆解!

但imec先進(jìn)成像、工藝和材料高級(jí)副總裁斯蒂芬·希爾(Steven Scheer)在接受采訪時(shí)非常理性地指出,要經(jīng)濟(jì)高效地引入High NA EUV光刻...

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超精細(xì)石墨烯圖案的雙光束超快激光直寫制作技術(shù)

最近,基于超分辨率熒光顯微技術(shù)這一諾貝爾獎(jiǎng)級(jí)成果,科學(xué)家報(bào)道了一種應(yīng)用于光刻膠的雙光束激光光刻技術(shù)。這里使用一道甜甜圈形狀的環(huán)形光束,來抑制寫入光束所觸...

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EUV光刻的兩大挑戰(zhàn)者,誰扛大旗?

過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力,但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 1...

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數(shù)十年的光刻技術(shù),High-NA EUV或成為終點(diǎn)?

盡管EUV的生產(chǎn)力還沒有達(dá)到客戶的預(yù)期,但幾年來,EUV 已經(jīng)成為世界上最先進(jìn)芯片的生產(chǎn)過程中不可或缺的一部分。

2022-09-28 標(biāo)簽:光刻技術(shù)EUV 962 0

光刻技術(shù)的原理及其難點(diǎn)分別是什么

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光。

2022-09-13 標(biāo)簽:集成電路光刻技術(shù)EUV 7091 0

一種3D打印新工藝——3D打印高性能的碳微晶格電池電極

當(dāng)人們意識(shí)到汽油動(dòng)力機(jī)器和車輛對環(huán)境的負(fù)面影響時(shí),似乎只要改用電池就可以解決這些問題了。從那時(shí)起,似乎沒有人質(zhì)疑這種新的、所謂完全環(huán)保的選擇。然而,沒過...

2022-08-23 標(biāo)簽:電極光刻技術(shù)3D打印機(jī) 1128 0

ASML下一代EUV光刻機(jī)High-NA來了!

對于3nm后的節(jié)點(diǎn),ASML及其合作伙伴正在研究一種全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列,具有0.55 NA(High-NA)透鏡...

2022-08-17 標(biāo)簽:分辨率光刻技術(shù)ASML 2604 0

光刻的基礎(chǔ)內(nèi)容

負(fù)性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是一種經(jīng)過曝光后釋放出氮?dú)獾墓饷魟?,產(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián)。從而變得不溶于顯...

2022-06-22 標(biāo)簽:光刻技術(shù)光刻膠 1876 0

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