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標(biāo)簽 > 光刻技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個(gè)數(shù)量級(jí)(從毫米級(jí)到亞微米級(jí)),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。
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EUV掩膜,也稱為EUV掩?;駿UV光刻掩膜,對于極紫外光刻(EUVL)這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增...
2023-08-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件光刻技術(shù)EUV 941 0
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
由于無法獲得尖端光學(xué)光刻技術(shù),中國芯片的制造工程目前限制在14納米,為了獲得更小的芯片、更強(qiáng)的性能,突破尖端包裝技術(shù)更為重要。此前,toff micro...
中國在半導(dǎo)體芯片制造方面仍落后于美國。早在上世紀(jì)60年代,美國就開始占據(jù)世界半導(dǎo)體市場的絕對主導(dǎo)地位。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,半導(dǎo)體芯片的制造越來越精細(xì)化。...
2023-06-01 標(biāo)簽:納米技術(shù)光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 1043 0
NVIDIA H100 GPU為2nm芯片加速計(jì)算光刻!
現(xiàn)代工藝技術(shù)將晶圓廠設(shè)備要求推向極限,需要實(shí)現(xiàn)突破其物理極限的高分辨率,這正是計(jì)算光刻技術(shù)發(fā)揮作用的地方。計(jì)算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù),它結(jié)合...
在整個(gè)芯片制造過程中,幾乎每一道工序的實(shí)施都離不開光刻技術(shù)。光刻技術(shù)也是制造芯片最關(guān)鍵的技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。
中國科學(xué)院大學(xué)在近場光學(xué)鄰近效應(yīng)研究中獲得進(jìn)展
為滿足集成電路中對納米結(jié)構(gòu)器件的尺寸及質(zhì)量的高性能要求,有效地解決表面等離子體光刻技術(shù)中存在的near-field OPE問題,中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)...
2023-04-18 標(biāo)簽:集成電路光刻技術(shù)結(jié)構(gòu)器件 1072 0
黃仁勛稱,英偉達(dá)經(jīng)過與臺(tái)積電、ASML、Synopsys(新思科技)三大半導(dǎo)體巨頭的多年合作,終于推出了這一技術(shù),大大降低芯片代工廠在這一工序上所消耗的...
GTC 2023:NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果
GTC 大會(huì):NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果 在摩爾定律接近物理極限之際,半導(dǎo)體行業(yè)要怎么做?借助AI? 現(xiàn)在半...
日本最寄望于納米壓印光刻技術(shù),并試圖靠它再次逆襲,日經(jīng)新聞網(wǎng)也稱,對比EUV光刻工藝,使用納米壓印光刻工藝制造芯片,能夠降低將近四成制造成本和九成電量,...
但imec先進(jìn)成像、工藝和材料高級(jí)副總裁斯蒂芬·希爾(Steven Scheer)在接受采訪時(shí)非常理性地指出,要經(jīng)濟(jì)高效地引入High NA EUV光刻...
超精細(xì)石墨烯圖案的雙光束超快激光直寫制作技術(shù)
最近,基于超分辨率熒光顯微技術(shù)這一諾貝爾獎(jiǎng)級(jí)成果,科學(xué)家報(bào)道了一種應(yīng)用于光刻膠的雙光束激光光刻技術(shù)。這里使用一道甜甜圈形狀的環(huán)形光束,來抑制寫入光束所觸...
一種通過軟光刻技術(shù)制造剛性微流控器件的詳細(xì)方案
軟光刻技術(shù)可通過在可變形彈性體(例如聚二甲基硅氧烷(PDMS))上使用光刻圖形化模具,實(shí)現(xiàn)具有精確特征的微流控器件快速成型(rapid prototyp...
過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力,但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 1...
數(shù)十年的光刻技術(shù),High-NA EUV或成為終點(diǎn)?
盡管EUV的生產(chǎn)力還沒有達(dá)到客戶的預(yù)期,但幾年來,EUV 已經(jīng)成為世界上最先進(jìn)芯片的生產(chǎn)過程中不可或缺的一部分。
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光。
當(dāng)人們意識(shí)到汽油動(dòng)力機(jī)器和車輛對環(huán)境的負(fù)面影響時(shí),似乎只要改用電池就可以解決這些問題了。從那時(shí)起,似乎沒有人質(zhì)疑這種新的、所謂完全環(huán)保的選擇。然而,沒過...
對于3nm后的節(jié)點(diǎn),ASML及其合作伙伴正在研究一種全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列,具有0.55 NA(High-NA)透鏡...
負(fù)性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是一種經(jīng)過曝光后釋放出氮?dú)獾墓饷魟?,產(chǎn)生的自由基在橡膠分子間形成交聯(lián)。從而變得不溶于顯...
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