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      標(biāo)簽　>　光刻技術(shù)

      光刻技術(shù)

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      隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

      文章：144個(gè) 瀏覽：16181次 帖子：5個(gè)

      光刻技術(shù)資訊

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      2021-12-22 標(biāo)簽：芯片晶圓光刻技術(shù) 2.2萬 0

      DMD無掩膜光刻技術(shù)解析

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      光刻技術(shù)的發(fā)展史

      集成電路的飛速發(fā)展有賴于相關(guān)的制造工藝光刻技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)是迄今所能達(dá)到的最高精度的加工技術(shù)。 集成電路產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代信息社會(huì)的基石。集成電路的發(fā)明使電...

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      半導(dǎo)體光刻技術(shù)及其發(fā)展歷程，一個(gè)詳盡立體的光刻世界

      對(duì)于采用不同設(shè)備制造相同制程IC的制造廠來說，其技術(shù)水平差異就會(huì)很突出，例如，有的廠商用EUV設(shè)備（光刻波長(zhǎng)為13.5nm）才能做7nm芯片，而有的廠商...

      2018-11-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體光刻技術(shù) 1.2萬 0

      GTC 2023：NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果

      GTC 2023：NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果

      GTC 大會(huì)：NVIDIA cuLitho將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果 在摩爾定律接近物理極限之際，半導(dǎo)體行業(yè)要怎么做？借助AI？ 現(xiàn)在半...

      2023-03-22 標(biāo)簽：摩爾定律NVIDIA光刻技術(shù) 1.1萬 0

      中芯國(guó)際7nm、5nm工藝任重道遠(yuǎn) 獲得美國(guó)供應(yīng)許可

      去年中芯國(guó)際被美國(guó)列入了實(shí)體清單，購(gòu)買美國(guó)廠商的半導(dǎo)體設(shè)備及技術(shù)受到限制。今天業(yè)界消息稱中芯國(guó)際已經(jīng)獲得了美國(guó)的許可，14nm及28nm等工藝可以恢復(fù)供應(yīng)。

      2021-03-02 標(biāo)簽：中芯國(guó)際光刻技術(shù)7nm 8972 0

      7nm節(jié)點(diǎn)后光刻技術(shù)從DUV轉(zhuǎn)至EUV，設(shè)備價(jià)值劇增

      芯片行業(yè)從20世紀(jì)90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻（紫外線波長(zhǎng)范圍是10~400nm）用以取代現(xiàn)在的193nm。EUV本身也有局限，比如容...

      2019-10-01 標(biāo)簽：摩爾定律光刻技術(shù)EUV 8650 0

      集成電路的發(fā)展與其制造工藝─——光刻技術(shù)

      光刻技術(shù)的進(jìn)步使得器件的特征尺寸不斷減小，芯片的集成度和性能不斷提高。在摩爾定律的引領(lǐng)下,光學(xué)光刻技術(shù)經(jīng)歷了接觸/接近、等倍投影、縮小步進(jìn)投影、步進(jìn)掃描...

      2020-12-14 標(biāo)簽：集成電路控制系統(tǒng)光刻技術(shù) 8323 0

      光刻技術(shù)是迄今所能達(dá)到的最高精度的加工技術(shù)

      降低曝光光源的波長(zhǎng)是光刻技術(shù)和設(shè)備的一個(gè)重要發(fā)展趨勢(shì)。半個(gè)世紀(jì)以來隨著光刻技術(shù)的發(fā)展,特征尺寸隨之減小。在196O年代,半導(dǎo)體芯片制造商主要使用可見光作為光源。

      2020-12-10 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體光刻技術(shù) 7749 0

      2019年第一季度全球個(gè)人電腦出貨量為5850萬臺(tái)，比2018年第一季度下降4.6%

      昨天，臺(tái)積電正式宣布了6nm(N6)工藝，在已有7nm(N7)工藝的基礎(chǔ)上大幅度增強(qiáng)，號(hào)稱可提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性價(jià)比，而且能加速產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、上市速度。

      2019-04-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電聯(lián)想光刻技術(shù) 7354 0

      光刻技術(shù)的原理及其難點(diǎn)分別是什么

      光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光。

      2022-09-13 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)EUV 7121 0

      中科院回應(yīng)5nm光刻技術(shù)突破ASML壟斷：誤讀

      近日，中國(guó)科學(xué)院官網(wǎng)上發(fā)布的一則研究進(jìn)展顯示，該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，隨后這被外界解讀為，已經(jīng)5nm ASML的壟斷，對(duì)此相關(guān)人...

      2020-12-02 標(biāo)簽：中科院光刻技術(shù)5nm 5940 0

      光刻技術(shù)工藝及應(yīng)用

      簡(jiǎn)單的說用一定波長(zhǎng)的波刻蝕材料就是光刻技術(shù),集成電路制造中利用光學(xué)- 化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形...

      2011-09-05 標(biāo)簽：光刻技術(shù) 5912 0

      三星半導(dǎo)體已經(jīng)開始使用其7LPP制造工藝生產(chǎn)芯片

      三星在其位于韓國(guó)華城的Fab S3生產(chǎn)7LPP EUV芯片。該公司每天可以在其ASML Twinscan NXE：3400B EUVL步進(jìn)掃描系統(tǒng)和每個(gè)...

      2018-10-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子光刻技術(shù) 5367 0

      納米壓印光刻技術(shù)應(yīng)用在即，能否掀起芯片制造革命？

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      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）提及芯片制造，首先想到的自然是光刻機(jī)和光刻技術(shù)。而眾所周知，EUV光刻機(jī)產(chǎn)能有限而且成本高昂，業(yè)界一直都在探索不完全依賴于...

      2024-03-09 標(biāo)簽：光刻技術(shù) 4871 0

      新思科技Fusion技術(shù)助力三星7LPP EUV工藝降低功耗、縮小面積并提高性能

      新思科技設(shè)計(jì)事業(yè)部營(yíng)銷與商務(wù)開發(fā)副總裁Michael Jackson表示：“我們與三星的工具和參考流程合作重點(diǎn)在于使設(shè)計(jì)人員能夠使用三星最新的EUV 7...

      2018-07-05 標(biāo)簽：三星電子新思科技光刻技術(shù) 4825 0

      光刻技術(shù)常見方法

      光刻(photoetching)是通過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝在此之后，晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。被除去的部分可能形狀...

      2011-09-05 標(biāo)簽：光刻技術(shù) 4213 0

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