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      標(biāo)簽　>　光刻技術(shù)

      光刻技術(shù)

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      隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級（從毫米級到亞微米級），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

      文章：144個(gè) 瀏覽：16184次 帖子：5個(gè)

      光刻技術(shù)資訊

      COVID將對光掩模市場產(chǎn)生什么業(yè)務(wù)影響?

      總體上，三分之二的調(diào)查參與者認(rèn)為這將產(chǎn)生積極的影響。前往EUV時(shí)，口罩的數(shù)量減少了。這是因?yàn)镋UV將整個(gè)行業(yè)帶回單一模式。具有多個(gè)圖案的193nm浸入需...

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      Molecular Imprints將為半導(dǎo)體大批量制造提供先進(jìn)光刻設(shè)備

      奈米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)廠商Molecular Imprints， Inc. （MII） 宣佈，該公司已經(jīng)獲得一份包含多個(gè)壓印範(fàn)本的採購訂...

      2012-09-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲器光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 1313 0

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      Rolith， Inc.，今天宣布成功安裝 由Rolith， Inc. 獨(dú)家授權(quán)SUSS MicroTec AG建造的第 2 代納米結(jié)構(gòu)原型工具 – R...

      2013-03-07 標(biāo)簽：處理器LED光刻技術(shù) 1234 0

      高數(shù)值孔徑 EUV技術(shù)路線圖

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      高數(shù)值孔徑EUV 今年的大部分討論都集中在EUV的下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑EUV的時(shí)間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān)Michael Lerce...

      2023-11-23 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)EUV 1156 0

      一種3D打印新工藝——3D打印高性能的碳微晶格電池電極

      當(dāng)人們意識到汽油動(dòng)力機(jī)器和車輛對環(huán)境的負(fù)面影響時(shí)，似乎只要改用電池就可以解決這些問題了。從那時(shí)起，似乎沒有人質(zhì)疑這種新的、所謂完全環(huán)保的選擇。然而，沒過...

      2022-08-23 標(biāo)簽：電極光刻技術(shù)3D打印機(jī) 1146 0

      三星電子有望在美國獲得超過 60 億美元的補(bǔ)貼

      　據(jù)彭博社3月15日報(bào)道，三星電子有望從美國政府獲得逾60億美元的《CHIP》法案補(bǔ)貼。該公司目前正在美國得克薩斯州新建一座工廠，此前計(jì)劃于今年7月開始...

      2024-03-15 標(biāo)簽：三星電子納米制程光刻技術(shù) 1134 0

      ASML將在未來十年發(fā)生變化？

      ASML即將上任的首席執(zhí)行官Christophe Fouquet面臨的最大挑戰(zhàn)將是帶領(lǐng)公司進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代，救火員工程文化必須改變。

      2023-12-28 標(biāo)簽：光刻技術(shù)EUVASML 1098 0

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      為滿足集成電路中對納米結(jié)構(gòu)器件的尺寸及質(zhì)量的高性能要求，有效地解決表面等離子體光刻技術(shù)中存在的near-field OPE問題，中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)...

      2023-04-18 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)結(jié)構(gòu)器件 1093 0

      光刻技術(shù)再次升級了

      中國在半導(dǎo)體芯片制造方面仍落后于美國。早在上世紀(jì)60年代，美國就開始占據(jù)世界半導(dǎo)體市場的絕對主導(dǎo)地位。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體芯片的制造越來越精細(xì)化。...

      2023-06-01 標(biāo)簽：納米技術(shù)光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 1059 0

      美光科技: 納米印刷助降DRAM成本

      近期的演示會上，美光詳細(xì)闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得...

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      Imec 與三井化學(xué)公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，將用于 EUV 光刻技術(shù)的 CNT 薄膜技術(shù)商業(yè)化

      來源：半導(dǎo)體芯科技 SiSC編譯 魯汶（比利時(shí)），2023 年 12 月 14 日 — 世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心 Imec 與日本領(lǐng)先...

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      數(shù)十年的光刻技術(shù)，High-NA EUV或成為終點(diǎn)？

      盡管EUV的生產(chǎn)力還沒有達(dá)到客戶的預(yù)期，但幾年來，EUV 已經(jīng)成為世界上最先進(jìn)芯片的生產(chǎn)過程中不可或缺的一部分。

      2022-09-28 標(biāo)簽：光刻技術(shù)EUV 986 0

      EUV光刻市場高速增長，復(fù)合年增長率21.8%

      EUV掩膜，也稱為EUV掩?；駿UV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增...

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      阿斯麥和IMEC聯(lián)合光刻實(shí)驗(yàn)室啟用

      近日，比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）與全球光刻技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)阿斯麥（ASML）共同宣布，在荷蘭費(fèi)爾德霍芬正式啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室。

      2024-06-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻技術(shù)ASML 956 0

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      宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域，已有數(shù)臺設(shè)備投入其芯片制造部門使用。據(jù)透露，英特爾正計(jì)劃在即將推出的18A（1.8納米）工藝節(jié)點(diǎn)中試...

      2024-05-28 標(biāo)簽：英特爾臺積電光刻技術(shù) 954 0

      美投資8.25億美元建設(shè)NSTC關(guān)鍵設(shè)施,重點(diǎn)發(fā)展EUV光刻技術(shù)

      拜登政府已宣布一項(xiàng)重大投資決策，計(jì)劃在紐約州的奧爾巴尼市投入8.25億美元，用于建設(shè)國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（NSTC）的核心設(shè)施。據(jù)美國商務(wù)部透露，奧爾巴尼...

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      Fab 34是英國在歐洲如今唯一運(yùn)用-極紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片制作基地，負(fù)責(zé)生產(chǎn)英特爾第四代Intel 4工藝的生產(chǎn)力工具如Meteor Lak...

      2024-02-18 標(biāo)簽：英特爾服務(wù)器光刻技術(shù) 929 0

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