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      標(biāo)簽　>　光刻

      光刻

      +關(guān)注7人關(guān)注

      光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

      文章：287個 瀏覽：30638次 帖子：5個

      光刻技術(shù)

      PCB上的死銅對電路性能的影響

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      在PCB的制造和設(shè)計(jì)過程中，可能會出現(xiàn)一種叫做"死銅"的問題。本文將解析死銅在PCB上的含義、成因、對電路性能的影響以及解決方法。

      2023-06-05 標(biāo)簽：電路pcbPCB設(shè)計(jì) 1526 0

      EUV光源四種產(chǎn)生方式及對比分析

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      隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步，光刻光源的曝光波長已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長為436nm、365nm （分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線），所...

      2023-06-01 標(biāo)簽：集成電路光刻EUV 2950 0

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      中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

      2023-05-26 標(biāo)簽：集成電路光刻光刻技術(shù) 1283 0

      樂趣探索不一樣的計(jì)算光刻

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      之前的小講堂有介紹過，光刻過程就好比用照相機(jī)拍照，將掩模版上的芯片設(shè)計(jì)版圖曝光到晶圓上，從而制造出微小的電路結(jié)構(gòu)。ASML光刻機(jī)的鏡片組使用極其精密的加...

      2023-05-25 標(biāo)簽：光刻微電路ASML 1101 0

      光刻技術(shù)：光學(xué)關(guān)鍵尺寸測量（OCD）原理

      光刻技術(shù)：光學(xué)關(guān)鍵尺寸測量（OCD）原理

      　　集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展，其中最為關(guān)鍵的一個參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條...

      2023-05-24 標(biāo)簽：集成電路光刻OCD 1.1萬 0

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      EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進(jìn)步。

      2023-05-18 標(biāo)簽：光刻人工智能EUV 3590 0

      光刻技術(shù)的種類介紹

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      根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所...

      2023-04-25 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體器件光刻膠 2199 0

      光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

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      光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形...

      2023-04-25 標(biāo)簽：芯片電子元件光刻 4591 0

      光刻技術(shù)簡述

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      光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程

      2023-04-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻光刻工藝 2156 0

      計(jì)算光刻技術(shù)有多重要？計(jì)算光刻如何改變2nm芯片制造？

      計(jì)算光刻技術(shù)有多重要？計(jì)算光刻如何改變2nm芯片制造？

      光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過程，是芯片制造過程的起始階段，包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。

      2023-04-25 標(biāo)簽：gpu芯片制造光刻 1579 0

      昂圖科技的極大尺寸照射場高分辨率光刻系統(tǒng)克服了FOPLP圖形形變挑戰(zhàn)

      昂圖科技的極大尺寸照射場高分辨率光刻系統(tǒng)克服了FOPLP圖形形變挑戰(zhàn)

      異構(gòu)集成技術(shù)集成了多個來自不同制程與功能各異的芯片來達(dá)到更優(yōu)越的效能。在大尺寸的面板級封裝中，現(xiàn)存的步進(jìn)式曝光機(jī)有著最大單一照射場（Exposure F...

      2023-04-23 標(biāo)簽：芯片封裝分辨率 1655 0

      從制造端來聊聊——芯片是如何誕生的

      光刻膠層透過掩模被曝光在紫外線之下，變得可溶，掩模上印著預(yù)先設(shè)計(jì)好得電路圖案，紫外線透過它照在光刻膠層上，就會形成每一層電路圖形。這個原理和老式膠片曝光類似。

      2023-04-20 標(biāo)簽：芯片晶圓光刻 3121 0

      3D晶圓鍵合裝備的工藝過程及研發(fā)現(xiàn)狀

      設(shè)備由MEMS領(lǐng)域應(yīng)用轉(zhuǎn)化到3D集成技術(shù)領(lǐng)域，表現(xiàn)出高對準(zhǔn)精度特點(diǎn)。大多數(shù)對準(zhǔn)、鍵合工藝都源于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造技術(shù)，但應(yīng)用于3D集成的對準(zhǔn)精度...

      2023-04-20 標(biāo)簽：集成電路晶圓光刻 6277 0

      研究透視：當(dāng)然之極Science-極紫外超透鏡

      超快光譜學(xué)和半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域皆依賴于非常短的波長，往往在極紫外extreme ultraviolet，EUV波段。然而，大多數(shù)光學(xué)材料強(qiáng)烈地吸收該波長范圍...

      2023-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻EUV 1490 0

      EUV 光刻制造全流程設(shè)計(jì)解析

      其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng)，再到光掩模，再到對準(zhǔn)系統(tǒng)，再到晶圓載物臺，再到光刻膠化學(xué)成分，再到鍍膜機(jī)和顯影劑，再到計(jì)量學(xué)，再到單個晶圓。

      2023-03-07 標(biāo)簽：芯片晶圓光刻 1958 0

      IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展

      加工技術(shù)：IGBT芯片的加工技術(shù)包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術(shù)的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如，采用新型的晶圓制備技術(shù)，...

      2023-02-20 標(biāo)簽：晶圓光刻igbt芯片 2439 0

      十大步驟詳解芯片光刻的流程

      十大步驟詳解芯片光刻的流程

      在集成電路的制造過程中，有一個重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能。 現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國人N...

      2023-02-16 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 6687 0

      一文解析IMEC 發(fā)布芯片縮放路線圖

      功率墻：將功率引入芯片并從芯片封裝中提取熱量變得越來越具有挑戰(zhàn)性，因此我們必須開發(fā)改進(jìn)的功率傳輸和冷卻概念。

      2023-02-07 標(biāo)簽：晶體管光刻半導(dǎo)體設(shè)備 957 0

      光刻技術(shù)介紹 幾種常見的光刻方法

      前烘就是在一定溫度下，使膠膜里的溶劑緩慢地?fù)]發(fā)出來，使膠膜干燥，并增加其粘附性和耐磨性。

      2022-12-16 標(biāo)簽：mems光刻 2836 0

      摩爾定律究竟所言何物？摩爾定律的誕生史

      摩爾定律究竟所言何物？摩爾定律的誕生史

      摩爾定律究竟所言何物？它何以如此成功？它是否論證了不可阻擋的科技發(fā)展趨勢？或者，它是否只是反映了工程學(xué)歷史上的一段獨(dú)特時(shí)期？正是在這段時(shí)間里，憑借硅晶的...

      2022-12-02 標(biāo)簽：繼電器邏輯電路摩爾定律 1420 0

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        AMS1117系列穩(wěn)壓器有可調(diào)版與多種固定電壓版，設(shè)計(jì)用于提供1A輸出電流且工作壓差可低至1V。在最大輸出電流時(shí)，AMS1117器件的最小壓差保證不超過1.3V，并隨負(fù)載電流的減小而逐漸降低。
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        TTP223是觸摸鍵檢測IC，提供1個觸摸鍵。觸摸檢測IC是為了用可變面積的鍵取代傳統(tǒng)的按鈕鍵而設(shè)計(jì)的。低功耗和寬工作電壓是觸摸鍵的DC和AC特點(diǎn)。111
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