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標(biāo)簽 > 刻蝕
刻蝕,英文為Etch,它是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理,然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。
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本文簡(jiǎn)單介紹了連續(xù)波和脈沖波的概念、連續(xù)波電流與脈沖波電源的定義以及脈沖波電源相對(duì)于連續(xù)波的電源模式的優(yōu)勢(shì)。 相對(duì)于連續(xù)波的電源模式,脈沖模式的優(yōu)勢(shì)有哪...
深入剖析半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物形成的機(jī)理
半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物的形成,其背后的機(jī)制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護(hù)等多個(gè)層面,下面是對(duì)這些機(jī)制的深入剖析: 化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑...
等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料,但它們的原理、過程、優(yōu)缺點(diǎn)及適用范圍都有很大的不同。...
什么是刻蝕?刻蝕是指通過物理或化學(xué)方法對(duì)材料進(jìn)行選擇性的去除,從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟,自194...
無(wú)偏差的刻蝕過程,我們稱之為各向異性刻蝕。為了更清晰地理解這一過程,我們可以將其拆解為幾個(gè)基本環(huán)節(jié)。首先,第一個(gè)環(huán)節(jié)是刻蝕氣體的處理,這些氣體在等離子體...
(1)什么是飛秒激光 激光器作為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一,因激光具有方向性、單色性好以及具有良好相干性等特點(diǎn),在諸多領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。 20世紀(jì)70年...
晶體硅太陽(yáng)能電池刻蝕的作用及方法與刻蝕的工藝流程等介紹立即下載
類別:電源技術(shù) 2017-09-29 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池刻蝕 1842 0
金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過度刻蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。...
在刻蝕清洗機(jī)中,熱電阻可以用于溫度監(jiān)測(cè)和控制,但需根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景和需求選擇合適類型,并注意其局限性。以下是詳細(xì)分析: 1. 熱電阻的適用性 溫度測(cè)量:...
芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,用于將設(shè)計(jì)圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上,形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過化學(xué)或物理方法去除特定材料(如硅、金屬或介質(zhì)層)...
ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體)刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝,廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、M...
半導(dǎo)體BOE(Buffered Oxide Etchant,緩沖氧化物蝕刻液)刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝,尤其在微結(jié)構(gòu)加工、...
半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝:濕法刻蝕設(shè)備技術(shù)解析
刻蝕工藝的核心機(jī)理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),與光刻機(jī)和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備??涛g的主要作用是將光刻膠上的圖...
2025-04-27 標(biāo)簽:濕法半導(dǎo)體制造刻蝕 490 0
濕法刻蝕和清洗在半導(dǎo)體加工過程中都是重要的化學(xué)處理步驟,但它們?cè)谀康摹⒃硪约安僮魃洗嬖诿黠@的區(qū)別。以下是對(duì)這兩者的詳細(xì)對(duì)比: 一、目的 濕法刻蝕 主要...
2025-04-08 標(biāo)簽:刻蝕 221 0
中微公司ICP雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī)Primo Twin-Star取得新突破
近日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”,股票代碼“688012.SH”)宣布通過不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度, ICP雙反應(yīng)...
華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中,通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)...
半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物的原理涉及化學(xué)反應(yīng)、表面反應(yīng)、側(cè)壁保護(hù)等多個(gè)方面。 以下是對(duì)半導(dǎo)體濕法刻蝕殘留物原理的詳細(xì)闡述: 化學(xué)反應(yīng) 刻蝕劑與材料的化學(xué)反應(yīng):...
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