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標簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日趨激烈、供應(yīng)鏈安全備受關(guān)注的背景下,功率半導(dǎo)體測試設(shè)備領(lǐng)域長期依賴進口的局面正在被打破。航裕電源憑借自主研發(fā)的HY-SMU 300...
2025-04-29 標簽:二極管直流電源功率半導(dǎo)體 165 0
驅(qū)動電路設(shè)計(十)——柵極電荷和應(yīng)用
驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點,涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
2025-04-14 標簽:功率半導(dǎo)體柵極電荷驅(qū)動電路設(shè)計 352 0
驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點,涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
2025-04-07 標簽:驅(qū)動電路功率半導(dǎo)體 244 0
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙...
2025-04-02 標簽:IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 866 0
驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點,涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展和環(huán)保意識的增強,高效、節(jié)能的電源系統(tǒng)成為市場的主流需求。開關(guān)電源以其高效率、小體積等優(yōu)點在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。而MOS管作為...
2025-03-24 標簽:開關(guān)電源MOS管功率半導(dǎo)體 336 0
TPS7H5020 SEP 能夠驅(qū)動 MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器,具有集成柵極驅(qū)動器,可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計。T...
2025-03-19 標簽:PWM控制器GaN功率半導(dǎo)體 242 0
驅(qū)動電路設(shè)計(二)——驅(qū)動器的輸入側(cè)探究
驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點,涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
2025-02-17 標簽:驅(qū)動器功率半導(dǎo)體驅(qū)動電路設(shè)計 400 0
功率半導(dǎo)體驅(qū)動電源設(shè)計(一)綜述
工業(yè)應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體的驅(qū)動電源功率不大,設(shè)計看似簡單,但要設(shè)計出簡單低成本的電路并不容易,主要難點有幾點:1電路要求簡潔,占用線路板面積要小一個Eas...
2025-02-14 標簽:電源設(shè)計功率半導(dǎo)體移動電源 324 0
驅(qū)動電路設(shè)計(一)—— 驅(qū)動器的功能綜述
驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點,涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2012 0
SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類...
Simcenter Micred Power Tester功率循環(huán)測試儀
SimcenterMicredPowerTester功率循環(huán)測試儀使用結(jié)合了有效功率循環(huán)和熱結(jié)構(gòu)退化監(jiān)測的測試硬件,評估功率半導(dǎo)體的熱可靠性和使用壽命。...
2025-01-09 標簽:測試儀功率半導(dǎo)體 879 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-06 標簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計 519 0
揭秘功率半導(dǎo)體背后的封裝材料關(guān)鍵技術(shù)
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們具有高效能、快速開關(guān)、耐高溫等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如電力電子、電動汽車、可再生能源...
2024-12-24 標簽:電子設(shè)備功率半導(dǎo)體封裝材料 810 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴散
樣品活動進行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計...
2024-12-16 標簽:功率器件測量功率半導(dǎo)體 1018 0
功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評估:功率循環(huán)測試研究
功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動,包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換,以及...
2024-12-06 標簽:測試功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 960 0
功率半導(dǎo)體器件本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦愿淖冸娐分械碾妷骸㈦娏?、頻率、導(dǎo)通狀態(tài)等物理特性,實現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換等管理。功率半導(dǎo)體種類較多,根據(jù)可控性...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
2024-11-19 標簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計 603 0
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