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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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浮思特 | 一文讀懂何為超結(jié)MOSFET (Super Junction MOSFET)?
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展,傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文...
2025-06-25 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體超結(jié)器件 79 0
半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式有很多種,比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響,...
2025-06-23 標(biāo)簽:電流功率半導(dǎo)體載流子 371 0
羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能
在SiC(碳化硅)等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中,以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是,這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。
2025-06-23 標(biāo)簽:SPICE功率半導(dǎo)體碳化硅 134 0
對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí),需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí),幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 393 0
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測試方法,為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段...
2025-06-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 409 0
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
2025-05-15 標(biāo)簽:IGBT防靜電功率半導(dǎo)體 329 0
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日趨激烈、供應(yīng)鏈安全備受關(guān)注的背景下,功率半導(dǎo)體測試設(shè)備領(lǐng)域長期依賴進(jìn)口的局面正在被打破。航裕電源憑借自主研發(fā)的HY-SMU 300...
2025-04-29 標(biāo)簽:二極管直流電源功率半導(dǎo)體 376 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(十)——柵極電荷和應(yīng)用
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-04-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體柵極電荷驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 493 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(九)——柵極鉗位
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-04-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路功率半導(dǎo)體 503 0
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙...
2025-04-02 標(biāo)簽:IGBT芯片封裝功率半導(dǎo)體 1997 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(八)——米勒鉗位雜談
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-03-31 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)鉗位驅(qū)動(dòng)電路 1145 0
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展和環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng),高效、節(jié)能的電源系統(tǒng)成為市場的主流需求。開關(guān)電源以其高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。而MOS管作為...
2025-03-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管功率半導(dǎo)體 545 0
TPS7H5020 SEP 能夠驅(qū)動(dòng) MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器,具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器,可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。T...
2025-03-19 標(biāo)簽:PWM控制器GaN功率半導(dǎo)體 416 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(二)——驅(qū)動(dòng)器的輸入側(cè)探究
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-02-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 501 0
功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)(一)綜述
工業(yè)應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大,設(shè)計(jì)看似簡單,但要設(shè)計(jì)出簡單低成本的電路并不容易,主要難點(diǎn)有幾點(diǎn):1電路要求簡潔,占用線路板面積要小一個(gè)Eas...
2025-02-14 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)功率半導(dǎo)體移動(dòng)電源 449 0
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(一)—— 驅(qū)動(dòng)器的功能綜述
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...
2025-02-10 標(biāo)簽:英飛凌驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路 782 0
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2298 0
SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場進(jìn)一步的變更為類...
Simcenter Micred Power Tester功率循環(huán)測試儀
SimcenterMicredPowerTester功率循環(huán)測試儀使用結(jié)合了有效功率循環(huán)和熱結(jié)構(gòu)退化監(jiān)測的測試硬件,評(píng)估功率半導(dǎo)體的熱可靠性和使用壽命。...
2025-01-09 標(biāo)簽:測試儀功率半導(dǎo)體 976 0
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