絕緣柵雙極晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導(dǎo)體，具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極...

2024-02-27 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 3267 0

IGBT模塊的引腳說明

IGBT模塊是一種常用的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子系統(tǒng)中。

2024-02-26 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體IGBT模塊 1.1萬 0

FLOEFD T3STER自動校準(zhǔn)模塊—提高電子產(chǎn)品散熱設(shè)計的準(zhǔn)確性

西門子工業(yè)數(shù)字軟件FLOEFD T3STER 自動校準(zhǔn)模塊——提高電子產(chǎn)品散熱設(shè)計的準(zhǔn)確性

2024-02-21 標(biāo)簽：led嵌入式散熱器 796 0

門極可關(guān)斷晶閘管(GTO) 和可控硅 (SCR) 的區(qū)別淺析

可控硅（SCR）和門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）都是大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于電力控制和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。

2024-02-01 標(biāo)簽：可控硅晶閘管SCR 4.4萬 0

什么是集成柵極換流晶閘管？

IGCT 可以由柵極信號控制導(dǎo)通和關(guān)斷，與GTO 晶閘管相比具有較低的傳導(dǎo)損耗，并能承受更高的電壓上升速率，使得其在大多數(shù)應(yīng)用上不需要緩沖器。?

2024-01-18 標(biāo)簽：晶閘管電動機(jī)逆變器 840 0

功率半導(dǎo)體的發(fā)展歷程和主要類型

作為半導(dǎo)體技術(shù)的一個重要分支，主要是指那些能夠處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體器件。它們在電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，負(fù)責(zé)電能的轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)與控制。功率半導(dǎo)體的出...

2024-01-18 標(biāo)簽：二極管MOSFET晶體管 1995 0

igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，具有MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗和GTR（大功率晶體管）的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...

2024-01-10 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 2398 0

功率半導(dǎo)體原理和功能介紹

功率半導(dǎo)體是一類特殊的半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流和高溫等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對功率半導(dǎo)體的原理和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹...

2024-01-09 標(biāo)簽：PN開關(guān)控制功率半導(dǎo)體 1773 0

功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方案

為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參...

2024-01-03 標(biāo)簽：SiC功率模塊鍵合 1049 0

功率半導(dǎo)體器件知識科普

功率半導(dǎo)體通過對電流與電壓進(jìn)行調(diào)控實(shí)現(xiàn)電能在系統(tǒng)中的形式轉(zhuǎn)換與傳輸分配，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保...

2023-12-27 標(biāo)簽：二極管晶閘管晶體管 975 0

瑞能650V IGBT的結(jié)構(gòu)解析

IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳...

2023-12-26 標(biāo)簽：電動汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1059 0

你知道IGBT模塊的12道封裝工藝嗎？

作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，IGBT應(yīng)用非常廣泛，如家用電器、電動汽車、鐵路、充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電樁，光伏、風(fēng)能，工業(yè)制造、電機(jī)驅(qū)動，以及儲能等領(lǐng)域。

2023-12-22 標(biāo)簽：pcb光伏發(fā)電DBC 3845 0

中國功率器件大市場分析報告

國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET（非車規(guī)）等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國產(chǎn)化率相對較高”等特 點(diǎn)。

2023-12-18 標(biāo)簽：二極管MOSFET晶閘管 1243 0

什么是IGBT？IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝

IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱，中文稱作絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT (雙極型三極管) 和MOS ...

2023-12-12 標(biāo)簽：三極管場效應(yīng)管IGBT 3444 0

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個模塊需...

2023-12-11 標(biāo)簽：逆變器IGBT晶體管 5556 0